Bestellungen über
$5000
IXFN44N100P
Trans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227B
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN44N100P
Datenblatt: IXFN44N100P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1 | $37,972 | $37,972 |
200 | $14,695 | $2939,000 |
500 | $14,179 | $7089,500 |
1000 | $13,923 | $13923,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN44N100P Allgemeine Beschreibung
IXFN44N100P from the Polar™ HiPerFETs family is a cutting-edge semiconductor device designed for high-performance applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these HiPerFETs offer unparalleled efficiency and reliability
Funktionen
- Economical Design
- High Current Handling
- Fast Switching Time
Anwendung
- Flexible design options
- Stable power delivery
- Efficient energy conversion
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | Polar Power MOSFET HiPerFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN44N100 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 54 ns |
Height: | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 890 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms | Rise Time: | 68 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |
Width: | 25.42 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
![]() |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
![]() |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
![]() |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
IXFN44N100P is a high voltage and high power MOSFET chip designed for use in power supply, motor control, and welding applications. It features a maximum voltage rating of 1000V and a continuous current rating of 44A, making it ideal for high power applications. Its low on-resistance and high switching speed make it efficient and reliable for demanding industrial applications.
-
Equivalent
Equivalent products of IXFN44N100P chip include the Fairchild Semiconductor FCPF44N60NT, Infineon Technologies IXTQ44N80X3, and ON Semiconductor NCP4300BDR2G. These products are all power MOSFETs with similar specifications that can be used as alternatives to the IXFN44N100P in various applications. -
Features
The IXFN44N100P is a power MOSFET transistor with a maximum voltage rating of 1,000V, a continuous drain current of 44A, and a low on-resistance of 0.1 ohms. It is designed for use in high power applications where efficiency and reliability are key considerations. -
Pinout
The IXFN44N100P is a power MOSFET with a pin count of 3. The function of the pins is as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is capable of switching high-power loads in applications such as power supplies and motor control. -
Manufacturer
IXFN44N100P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a power semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors and integrated circuits used in power conversion, motor control, and other power applications. -
Application Field
IXFN44N100P is a power MOSFET used in wide range of applications including high power switching, motor control, power supplies, inverters, and other high current applications where high voltage and high power handling capability is required. -
Package
The IXFN44N100P chip is a power MOSFET transistor in a TO-245 package with a TO-263 form. It has a size of 10.16mm x 4.57mm x 3.78mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte