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IXFN44N100P 48HRS

Trans MOSFET N-CH 1KV 37A 4-Pin SOT-227B

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXFN44N100P

Datenblatt: IXFN44N100P Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227-4

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $37,972 $37,972
200 $14,695 $2939,000
500 $14,179 $7089,500
1000 $13,923 $13923,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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IXFN44N100P Allgemeine Beschreibung

IXFN44N100P from the Polar™ HiPerFETs family is a cutting-edge semiconductor device designed for high-performance applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these HiPerFETs offer unparalleled efficiency and reliability

Funktionen

  • Economical Design
  • High Current Handling
  • Fast Switching Time

Anwendung

  • Flexible design options
  • Stable power delivery
  • Efficient energy conversion

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: IXYS Product Category: Discrete Semiconductor Modules
RoHS: Details Product: Power MOSFET Modules
Type: Polar Power MOSFET HiPerFET Technology: Si
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V Mounting Style: Screw Mounts
Package / Case: SOT-227-4 Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Series: IXFN44N100
Packaging: Tube Brand: IXYS
Configuration: Single Fall Time: 54 ns
Height: 12.22 mm Id - Continuous Drain Current: 37 A
Length: 38.23 mm Number of Channels: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 890 W Product Type: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance: 220 mOhms Rise Time: 68 ns
Factory Pack Quantity: 10 Subcategory: Discrete Semiconductor Modules
Tradename: HiPerFET Transistor Polarity: N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 90 ns Typical Turn-On Delay Time: 60 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 6.5 V
Width: 25.42 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • IXFN44N100P is a high voltage and high power MOSFET chip designed for use in power supply, motor control, and welding applications. It features a maximum voltage rating of 1000V and a continuous current rating of 44A, making it ideal for high power applications. Its low on-resistance and high switching speed make it efficient and reliable for demanding industrial applications.
  • Equivalent

    Equivalent products of IXFN44N100P chip include the Fairchild Semiconductor FCPF44N60NT, Infineon Technologies IXTQ44N80X3, and ON Semiconductor NCP4300BDR2G. These products are all power MOSFETs with similar specifications that can be used as alternatives to the IXFN44N100P in various applications.
  • Features

    The IXFN44N100P is a power MOSFET transistor with a maximum voltage rating of 1,000V, a continuous drain current of 44A, and a low on-resistance of 0.1 ohms. It is designed for use in high power applications where efficiency and reliability are key considerations.
  • Pinout

    The IXFN44N100P is a power MOSFET with a pin count of 3. The function of the pins is as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is capable of switching high-power loads in applications such as power supplies and motor control.
  • Manufacturer

    IXFN44N100P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a power semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors and integrated circuits used in power conversion, motor control, and other power applications.
  • Application Field

    IXFN44N100P is a power MOSFET used in wide range of applications including high power switching, motor control, power supplies, inverters, and other high current applications where high voltage and high power handling capability is required.
  • Package

    The IXFN44N100P chip is a power MOSFET transistor in a TO-245 package with a TO-263 form. It has a size of 10.16mm x 4.57mm x 3.78mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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