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IXFN48N60P
High-power MOSFET suitable for industrial and automotive applications
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN48N60P
Datenblatt: IXFN48N60P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $23,443 | $23,443 |
200 | $9,072 | $1814,400 |
500 | $8,754 | $4377,000 |
1000 | $8,597 | $8597,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN48N60P Allgemeine Beschreibung
The Polar HiPerFETs IXFN48N60P are a testament to innovation in transistor technology. By combining the benefits of their Standard product family with a faster body diode, manufacturers have created devices that excel in demanding applications like phase-shift bridges and uninterruptible power supplies (UPS). These transistors offer reduced reverse recovery time (trr), low thermal resistance (RthJC), and enhanced dv/dt capabilities. With the lowest RDS(on) values and minimal gate charge (Qg), they are well-suited for a wide range of applications
Funktionen
- Fast Diode Response
- Low Vce Saturation Voltage
- High Current Handling Capability
Anwendung
- Customizable power systems
- Innovative technology solutions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | HiperFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN48N60 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 22 ns |
Height: | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 625 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms | Rise Time: | 25 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Width: | 25.42 mm |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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