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IXFN94N50P2 48HRS

N-Channel 500 V 68A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXFN94N50P2

Datenblatt: IXFN94N50P2 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227B

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.548 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $24,188 $24,188
200 $9,361 $1872,200
500 $9,033 $4516,500
1000 $8,870 $8870,000

Auf Lager: 9.548 Stck

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IXFN94N50P2 Allgemeine Beschreibung

Polar2™ HiPerFET™ versions are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94 and 120 Amperes. These high-performance versions retain all the features and advantages of the PolarP2™ Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (trr <=250ns). Furthermore, these devices eliminate the need for discrete anti-parallel high voltage diodes used in conventional designs, thereby reducing part count, simplifying PCB layouts, reducing overall losses and improving power density. The featured fast intrinsic body diode properties of these HiPerFET™ versions play a pivotal role in overall device performance by providing faster transient response, increased power efficiency, improved ruggedness, and higher operating frequencies.

Funktionen

  • Low RDS(on) and Qg
  • Low thermal resistance RthJC
  • High power dissipation
  • Dynamic dv/dt ratings
  • Avalanche Rated
  • Advantages:
  • Simple drive requirements
  • Enables high speed switching
  • Reduced component count & circuit complexity
  • Cooler device operation

Anwendung

  • SMPS/RMPS, UPS, PFC, DC-DC converters, laser drivers, battery chargers, motor drives, solar inverters, lamp ballasts, robotic and servo control

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer IXYS Product Category Discrete Semiconductor Modules
RoHS Details Product Power MOSFET Modules
Type HiperFET Technology Si
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Mounting Style Screw Mount
Package / Case SOT-227B-4 Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Brand IXYS
Configuration Single Fall Time 11 ns
Id - Continuous Drain Current 68 A Operating Supply Voltage -
Pd - Power Dissipation 780 W Product Type Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 55 mOhms Rise Time 34 ns
Factory Pack Quantity 10 Subcategory Discrete Semiconductor Modules
Tradename HiPerFET Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 67 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Unit Weight 1.058219 oz

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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