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IXFP3N120
With a Rds of 4.50, the IXFP3N120 MOSFET is designed to handle up to 3 Amps at 1200V
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFP3N120
Datenblatt: IXFP3N120 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $5,392 | $5,392 |
200 | $2,087 | $417,400 |
500 | $2,014 | $1007,000 |
1000 | $1,977 | $1977,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFP3N120 Allgemeine Beschreibung
With a variety of standard industrial packages available, including isolated types, the IXFP3N120 offers flexibility and compatibility with existing systems. This allows engineers and designers to easily integrate the MOSFET into their projects without the need for extensive modifications. The high quality and reliability of the IXFP3N120 make it a preferred choice for demanding applications where performance and durability are paramount
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Funktionen
- The IXFP3N120 is a high-performance IGBT for power electronics.
- Designed for applications requiring high speed and low power dissipation, making it suitable for use in motor control and renewable energy systems.
Anwendung
- Renewable energy ready
- High voltage performance
- Made for power
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 39 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 200 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | HiPerFET |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 18 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1.5 S | Height: | 16 mm |
Length: | 10.66 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 15 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | HiPerFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns | Width: | 4.83 mm |
Unit Weight: | 0.068784 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFP3N120 is a power MOSFET chip widely used for high voltage and high current applications. It features a 1200V drain-source voltage rating and a maximum continuous drain current of 3A. The chip is designed for efficient power switching in areas such as motor control, power supplies, and inverters. Its compact size and robust performance make it a popular choice among designers for various industrial and consumer electronic applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFP3N120 chip are the IPP051N12N3GXKSA1 and the BSM251N12NS3 G. -
Features
IXFP3N120 is a Power MOSFET transistor with a rated voltage of 1200V, a current rating of 3A, and a low on-resistance of 1.4Ω. It is designed for high-power applications, ensuring efficient switching and minimal power losses. The transistor also features a ruggedized design, allowing it to withstand high voltage and temperature conditions. -
Pinout
The IXFP3N120 is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the switching of the transistor, while the drain and source pins facilitate the flow of current. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFP3N120 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a semiconductor company that specializes in the development, manufacture, and marketing of power semiconductors, advanced mixed-signal integrated circuits, and RF power products. -
Application Field
The IXFP3N120 is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) used for high voltage switching applications. It can be found in various areas such as motor control systems, power supplies, and inverters. -
Package
The IXFP3N120 chip is available in a TO-220 package type. It comes in a single form and has a size of approximately 10.16 mm x 15.88 mm, with its pins extending from the bottom of the package.
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