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IXGH24N60AU1

TO247AD IGBT with specifications of 600V, 48A, 150W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Ixys

Herstellerteil #: IXGH24N60AU1

Datenblatt: IXGH24N60AU1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247AD-3

Produktart: Single IGBTs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.272 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXGH24N60AU1 Allgemeine Beschreibung

Elevate your high-power applications with the IXGH24N60AU1, a cutting-edge IGBT designed for unrivaled efficiency and reliability. Boasting impressive specifications including a 600V voltage rating, 24A continuous current rating, and a maximum switching frequency of 20kHz, this IGBT is a standout choice for motor drives, inverters, UPS systems, and induction heating. Its rugged design and low conduction and switching losses make it the perfect solution for high-frequency switching applications, delivering optimal performance and durability. The IXGH24N60AU1 comes equipped with a built-in soft recovery diode to reduce reverse recovery losses, improving overall efficiency and minimizing strain on the device. Additionally, its low gate charge and high input impedance simplify gate drive and reduce switching losses, further enhancing its performance in demanding environments. Housed in a TO-247 package for easy mounting and efficient heat dissipation, the IXGH24N60AU1 is designed to withstand high temperatures up to 175°C, with overcurrent and overtemperature protection to ensure safe and reliable operation. Make the IXGH24N60AU1 your top choice for high-power applications that demand peak performance and unwavering reliability

Funktionen

  • Micropower management
  • High-reliability rating
  • Silent operation available

Anwendung

  • Reliable power conversion
  • Great for welding equipment
  • Excellent for UPS systems

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247AD-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 48 A
Pd - Power Dissipation 150 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series IXGH24N60
Brand IXYS Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs

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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The IXGH24N60AU1 is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip with a voltage rating of 600V and a continuous current rating of 48A. It is designed for high frequency switching applications in power electronics, such as motor drives and inverters. The chip features low on-state voltage drop and fast switching speed for efficient performance.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IXGH24N60AU1 chip are IRG4PC50UD, IXGR40N60C2D1, and IXGN60N90C2D1.
  • Features

    IXGH24N60AU1 is a 600V, 24A IGBT module with low on-resistance, high current capability, and fast switching characteristics. It has integrated temperature sensors, high avalanche energy rating, and low gate charge. Suitable for motor control, inverter, and power supply applications.
  • Pinout

    IXGH24N60AU1 is a 3-pin IGBT module with a gate, emitter, and collector. It is used for high-power switching applications in motor control, power supplies, and inverters. The pin count is 3, and the functions include controlling high current and voltage levels.
  • Manufacturer

    IXGH24N60AU1 is manufactured by IXYS Corporation, a power semiconductor manufacturer. IXYS Corporation specializes in developing and manufacturing semiconductor devices used in power conversion and regulation applications.
  • Application Field

    IXGH24N60AU1 is a high voltage IGBT suitable for use in inverter and motor control applications, power supplies, and induction heating. It can also be used in renewable energy systems such as solar inverters and wind turbines. Its high voltage and current ratings make it ideal for demanding industrial and automotive applications.
  • Package

    The IXGH24N60AU1 chip comes in a TO-247 package. It is a Power MOSFET with a N-Channel and high-power capabilities, suitable for various power applications. The chip has a form factor of a single discrete component and its size dimensions are standardized as per the TO-247 package specifications.

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