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IXGX120N60B

600V-rated IGBT Transistors with a current capacity of 76 Amps and a low on-state resistance of 2.1

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXGX120N60B

Datenblatt: IXGX120N60B Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: PLUS 247-3

Produktart: Single IGBTs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.263 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXGX120N60B Allgemeine Beschreibung

The IXGX120N60B GenX3™ IGBT is a breakthrough product designed to meet the demands of high voltage power conversion applications with unparalleled performance. With switching capabilities reaching up to 150 kHz and a current range of 42A to 120A, this IGBT offers power designers an exceptional solution for their switching needs. The 600V GenX3™ IGBTs are optimized for high current applications requiring soft-switching frequencies over 200 kHz and hard-switching frequencies of 40 kHz. Utilizing Punch-Through technology, these devices offer superior surge current capabilities, lower saturation voltage, and reduced energy losses, making them a top choice for high voltage switching applications. The 1200V GenX3™ IGBTs leverage advanced Punch-Through technology to provide lower saturation voltages, decreased switching losses, and increased surge current capabilities, further enhancing their appeal for high voltage power conversion applications. With three sub-classes available, designers have the flexibility to select the most suitable option for their specific system requirements, achieving the perfect balance between switching frequency, efficiency, and cost optimization

Funktionen

  • High speed switching capability
  • Optimized for efficient energy transfer
  • Achieves high reliability with minimal maintenance

Anwendung

  • Generator controls
  • Grid tie inverters
  • Automotive inverters

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Phase Out/Obsolete VCES - Collector-Emitter Voltage (V) 600
Collector Current @ 25 ℃ (A) 200 VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.1
Fall Time [Inductive Load] (ns) 160 Configuration Single
Package Type TO-247 PLUS Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W) 0.19
Collector Current @ 90 ℃ (A) 120 Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ) 5.5
Replaced By Part Number IXGX120N60B3

Versand

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXGX120N60B is a power module that combines a high voltage IGBT with a diode for use in motor drive and power conversion applications. It offers low switching and conduction losses, high efficiency, and robust performance in demanding environments. It is designed for high power and high-speed switching applications.
  • Equivalent

    Equivalent products of IXGX120N60B chip are IXGX120N60C, IXGK120N60TL, and IXGR120N60BD1. These products have similar specifications and characteristics, making them suitable alternatives for the IXGX120N60B chip.
  • Features

    Some features of IXGX120N60B include: 1. 120A current rating 2. 600V voltage rating 3. Low VCE(sat) 4. High switching frequency capability 5. High ruggedness 6. Positive temperature coefficient 7. Low diode VF (1.9V at 100A) 8. Square RBSOA
  • Pinout

    The IXGX120N60B is a 3-pin module, with Pin 1 as the gate, Pin 2 as the collector, and Pin 3 as the emitter. It is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a current rating of 120A and a voltage rating of 600V, commonly used in high-power industrial applications.
  • Manufacturer

    IXYS Corporation is the manufacturer of the IXGX120N60B. IXYS Corporation is a global semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide a range of products for industrial, automotive, consumer, medical, and communication sectors.
  • Application Field

    The IXGX120N60B is used in applications such as induction heating, high-frequency welding, and other high-power switching applications. It is also suitable for use in motor control, power supplies, and inverters due to its high voltage and current handling capabilities, fast switching times, and low on-resistance.
  • Package

    The IXGX120N60B chip comes in a TO-268 package, which is a type of module package. It has a form factor of a single electronic component and a size of approximately 10mm x 17mm.

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