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$5000IXTH20N60
Featuring a current rating of 20 Amps, a voltage rating of 600V, and an on-resistance of 0
Marken: IXYS CORP
Herstellerteil #: IXTH20N60
Datenblatt: IXTH20N60 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.519 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH20N60 Allgemeine Beschreibung
With its high voltage rating of 600V and a continuous current capability of 20A, the IXTH20N60 MOSFET is a reliable choice for a variety of power electronics applications. Its low on-resistance of 0.35 ohms ensures minimal power loss and efficient operation. The TO-247 (SOT-249) package style allows for easy mounting and thermal management, while its RoHS compliance demonstrates its commitment to environmental responsibility
Funktionen
- Silicon-on-insulator (SOI) technology for improved isolation
- Avalanche-rated for reliable operation under overload conditions
- Rapid switching times for increased efficiency and reduced power consumption
- Fully compatible with advanced logic gate circuits for high-speed data processing
Anwendung
- Compact design
- Efficient performance
- Cost-effective solution
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | IXYS CORP |
| Part Package Code | TO-247AD | Package Description | TO-247AD, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
| Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 600 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.35 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-247AD | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation Ambient-Max | 300 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 300 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTH20N60 is a high voltage and high speed switching N-channel power MOSFET chip commonly used in power electronics applications. It can handle a maximum voltage of 600V and a continuous current of 20A. Its compact size and efficient operation make it a popular choice for a wide range of industrial and consumer electronics projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXTH20N60 chip are the IRG4PH50UD and the HGTG20N60A4D. These chips are power semiconductor devices used for various applications such as motor control, power supplies, and inverters. They all offer similar specifications and performance characteristics to the IXTH20N60. -
Features
IXTH20N60 is a Power MOSFET with a maximum voltage rating of 600V, continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.2 ohms. It offers high power handling capability, fast switching speeds, and low gate charge. This MOSFET is suitable for high power applications such as power supplies, inverters, and motor control. -
Pinout
The IXTH20N60 is a high voltage power MOSFET with a TO-247 package type. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins, making it ideal for high voltage applications. -
Manufacturer
The IXTH20N60 is manufactured by IXYS Corporation, a global semiconductor company that specializes in power and advanced technology platforms. They develop and produce a wide range of power semiconductor devices, integrated circuits, and RF power products used in various industries such as automotive, industrial, healthcare, and consumer electronics. -
Application Field
The IXTH20N60 is a high voltage, high speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that is commonly used in power electronic applications such as motor control, power supplies, inverters, and converters. It is ideal for applications that require fast switching speeds, high efficiency, and high voltage capabilities. -
Package
The IXTH20N60 chip comes in a TO-247 package type. It is in a transistor form and features a size of 25mm x 16mm x 10mm.
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