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IXTK102N65X2
N-channel 650V 102A Power MOSFET in TO-264 Package
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTK102N65X2
Datenblatt: IXTK102N65X2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $14,428 | $14,428 |
| 200 | $5,583 | $1116,600 |
| 500 | $5,387 | $2693,500 |
| 1000 | $5,290 | $5290,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXTK102N65X2 Allgemeine Beschreibung
The revolutionary design of the IXTK102N65X2 product is a result of cutting-edge engineering techniques and innovative materials. By incorporating the charge compensation principle and our proprietary process technology, these devices deliver unparalleled performance metrics, including the lowest on-state resistances, minimized gate charges, and superior dv/dt behavior. Moreover, their enhanced avalanche capability enhances ruggedness and longevity in challenging operating environments. The inclusion of a fast soft-recovery body diode further reduces switching losses and electromagnetic interference, making these Ultra-Junction MOSFETs ideal for high-performance applications
Funktionen
- Ultra low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast body diode
- dv/dt ruggedness
- Avalanche rated
- Low package inductance
- International standard packages
- Advantages:
- Higher efficiency
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Anwendung
- High-efficiency power supplies
- Efficient electric chargers
- Precision motor drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 102 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 152 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | X2-Class |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 28 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 67 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns | Unit Weight: | 0.352740 oz |
| Series | Ultra X2 | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 102A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 51A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10900 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 1040W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) | Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Base Product Number | IXTK102 |
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|---|---|---|---|
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