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IXTK110N20L2
High-speed, low-power solution for modern electronics design
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTK110N20L2
Datenblatt: IXTK110N20L2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $33,145 | $33,145 |
| 200 | $12,828 | $2565,600 |
| 500 | $12,377 | $6188,500 |
| 1000 | $12,154 | $12154,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXTK110N20L2 Allgemeine Beschreibung
The IXTK110N20L2 Power MOSFET is a specialized device tailored for applications that require operation in the current saturation regions. These MOSFETs are designed to handle high thermal resistances, allowing for high power density and extended Forward Bias Safe Operating Areas. In linear-mode operation, where high drain voltages and currents are present simultaneously, typical devices may fail due to extreme thermal and electrical stresses. Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs address these challenges by suppressing electro-thermal instability and extending the FBSOAs, providing larger operating windows and preventing device failures. The FBSOAs are guaranteed at 75°C, ensuring reliability and performance in demanding applications
Funktionen
- Spike pulse voltage handling capability
- Pulse duration adjustable
- Low distortion and ripple
- High isolation voltage rating
Anwendung
- Advanced power control
- Energy efficient designs
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 500 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | Linear L2 | Series: | IXTK110N20 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 135 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 55 S | Height: | 26.59 mm |
| Length: | 20.29 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 100 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | LinearL2 Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns | Width: | 5.31 mm |
| Unit Weight: | 0.352740 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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