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IXTK5N250 48HRS

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ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXTK5N250

Datenblatt: IXTK5N250 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-264-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.443 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $63,021 $63,021
200 $24,389 $4877,800
500 $23,531 $11765,500
1000 $23,109 $23109,000

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IXTK5N250 Allgemeine Beschreibung

Revolutionize your power conversion designs with the innovative IXTK5N250 Very High Voltage N-Channel Standard MOSFET series. Engineered to excel in fast-switching applications requiring high blocking voltages up to 4.5kV, these MOSFETs deliver unmatched performance and reliability. Their unique positive temperature coefficient of on-state resistance allows for seamless parallel device operation, offering a cost-effective solution compared to lower-voltage alternatives. By simplifying gate drive circuitry, reducing system complexity, and optimizing PCB board space, the IXTK5N250 MOSFET series provides a highly efficient and dependable solution for demanding power conversion tasks

Funktionen

  • Ruggedized for military-grade applications
  • Immune to EMP and EMI interference
  • Long-term reliability up to 20 years
  • Operating temperatures up to 150°C

Anwendung

  • Compact and efficient design
  • Versatile for various applications
  • Durable and reliable performance

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Drain-Source Voltage (V) 2500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 8.8
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 5 Gate Charge (nC) 200
Input Capacitance, CISS (pF) 8560 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.13
Configuration Single Package Type TO-264
Typical Reverse Recovery Time (ns) 1200 Power Dissipation (W) 960
Sample Request Yes

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXTK5N250 chip is a power semiconductor device used in high-speed switching applications. It features a low on-state resistance and high switching frequency, making it ideal for power management in various electronic systems. The chip is designed to optimize power efficiency and performance in a compact and reliable package.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IXTK5N250 chip are the IRF7853PbF, AUIRF7862M2TR, and IPP65R250CFD7. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics to the IXTK5N250.
  • Features

    1. High power N-channel MOSFET 2. 250V drain-source voltage 3. 2.5A continuous drain current 4. Low on-resistance 5. Fast switching speed 6. Low gate charge 7. TO-252 packaging 8. Suitable for high-power applications
  • Pinout

    The IXTK5N250 is a 5 pin TO-263 package MOSFET transistor with a gate, drain, source, substrate, and body diode pin. It is designed for high power applications and offers fast switching capabilities. The pin functions include gate control, power input/output, and thermal management.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXTK5N250 is Cree Inc. It is a multinational company that specializes in semiconductor manufacturing and technology, particularly in LED lighting, power, and radio frequency (RF) applications. Cree Inc. is known for its innovation and expertise in developing energy-efficient and high-performance semiconductor products.
  • Application Field

    The IXTK5N250 is a high voltage, high-speed IGBT specifically designed for industrial applications such as motor control, converters, inverters, power supplies, and welding equipment. It is commonly used in high-power, high-frequency applications where efficiency and reliability are critical.
  • Package

    The IXTK5N250 chip is a power MOSFET with a TO-264 package type, a transistor form, and a size of 29.34mm x 16.56mm x 9.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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