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$5000IXTK60N50L2
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTK60N50L2
Datenblatt: IXTK60N50L2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTK60N50L2 Allgemeine Beschreibung
Designed specifically for applications requiring Power MOSFETs to operate in current saturation regions, the IXTK60N50L2 product stands out for its impressive features. These include low thermal resistances, high power density, and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA). When Power MOSFETs operate in linear-mode, they are subject to significant thermal and electrical stresses due to high drain voltages and currents. To address this challenge, Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs offer enhanced FBSOAs that expand the operating windows and prevent device failures. By mitigating electro-thermal instability, these devices ensure reliability and longevity even under extreme conditions. Customers can rely on the guaranteed FBSOA at 75°C for optimal performance and peace of mind
Funktionen
- Rapid prototyping capabilities
- Compact and lightweight form factor
- Flexible configuration options
Anwendung
- Switch mode power supplies
- Solenoid driver circuits
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 610 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 960 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | Linear L2 | Series: | IXTK60N50 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 38 ns |
Forward Transconductance - Min: | 18 S | Height: | 26.59 mm |
Length: | 20.29 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 40 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
Subcategory: | MOSFETs | Type: | LinearL2 Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
Width: | 5.31 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTK60N50L2 is a power MOSFET transistor designed for high-voltage and high-current applications. It has a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 60A. The transistor is built using advanced silicon technology to provide low conduction and switching losses, making it ideal for power supply and motor control applications.
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Equivalent
Equivalent products of IXTK60N50L2 chip are IXFK60N50L, IXFT60N50L, IXFN60N50L, and IXYS IXYS-designated product K675N50L2C. These products also have a voltage rating of 500V and a current rating of 60A. -
Features
- 600V, 60A, N-channel MOSFET - Low on-resistance of 0.1 ohm - Fast switching speed for efficient power handling - High avalanche energy rating for ruggedness - Suitable for high voltage and high current applications - Provides high performance and reliability in demanding environments -
Pinout
The IXTK60N50L2 is a 3-pin TO-264 package power MOSFET. It has a total of 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). This MOSFET is designed for high-power applications and has a maximum voltage rating of 500V and a maximum current rating of 60A. -
Manufacturer
IXTK60N50L2 is manufactured by IXYS Corporation, an American multinational company specializing in the design and manufacture of power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. IXYS primarily serves industries such as aerospace, industrial, medical, telecommunications, and transportation. -
Application Field
IXTK60N50L2 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, inverters, and industrial systems. It is ideal for high voltage and high power switching applications where reliability and efficiency are critical. Its low on-state resistance and fast switching speed make it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The IXTK60N50L2 chip is a power MOSFET packaged in TO-264 form with a size of 10mm x 10mm x 4.57mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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