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IXTN110N20L2
Single-transistor module designed for applications requiring a 200V voltage rating
Marken: LITTELFUSE INC
Herstellerteil #: IXTN110N20L2
Datenblatt: IXTN110N20L2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227B
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.464 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $46,486 | $46,486 |
| 200 | $17,990 | $3598,000 |
| 500 | $17,358 | $8679,000 |
| 1000 | $17,045 | $17045,000 |
Auf Lager: 5.464 Stck
IXTN110N20L2 Allgemeine Beschreibung
Engineered for applications that demand high performance in current saturation regions, the IXTN110N20L2 Power MOSFET is a standout choice for linear-mode operation. With a focus on optimizing thermal management and power density, these devices feature low thermal resistances and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA). The unique design of Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs allows them to withstand the high thermal and electrical stresses that can cause typical devices to fail. By suppressing electro-thermal instability, these Power MOSFETs offer larger operating windows, ensuring reliable performance even in challenging conditions. The guaranteed FBSOAs at 75°C make these devices a secure choice for applications requiring robust and dependable Power MOSFETs
Funktionen
- Europec compliance
- Fuse protection
- Low thermal impedance
- Achieving high efficiency
Anwendung
- Smart home technology
- Industrial automation
- Remote power control
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | LITTELFUSE INC | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTN110N20L2 chip is a power MOSFET based on advanced silicon technology. It offers a low ON-resistance, high current, and fast switching capabilities. With a voltage rating of 200V, it is suitable for use in various power applications like motor control, power supplies, and electric vehicles. The chip is designed to handle high power levels efficiently while ensuring reliability and performance.
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Features
The IXTN110N20L2 is a high-performance power MOSFET with a voltage rating of 200V. It features a low on-resistance and low gate charge, making it suitable for a wide range of applications that require high power conversion efficiency. -
Pinout
The IXTN110N20L2 is a power MOSFET with a TO-268 package. It has a pin count of three. The pins are labeled as gate, drain, and source. The MOSFET is designed for high-current applications and can be used to control the flow of electrical power. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTN110N20L2 is IXYS Corporation. It is a multinational semiconductor company specializing in the design, development, and production of power semiconductors, integrated circuits, and optoelectronic devices. -
Application Field
The IXTN110N20L2 is a power MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including power supplies, motor control, and audio amplifiers. It is designed for high-performance and high-efficiency applications, making it suitable for use in industrial, commercial, and automotive applications. -
Package
The IXTN110N20L2 chip is a through-hole package type with a TO-254AA form. The size of the chip can vary depending on the manufacturer's specifications.
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