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IXTN200N10L2 48HRS

The IXTNLis designed for rugged reliability in harsh environments and demanding system

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXTN200N10L2

Datenblatt: IXTN200N10L2 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227-4

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

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IXTN200N10L2 Allgemeine Beschreibung

The IXTN200N10L2 Power MOSFET is a cutting-edge solution specifically engineered for applications that demand optimal performance in current saturation regions. With features such as low thermal resistances and high power density, these devices excel in maintaining efficiency even under extreme conditions. By offering extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs are able to withstand the rigorous demands of linear-mode operation, which typically involve high drain voltages and currents. The suppression of electro-thermal instability ensures that the devices have larger operating windows, contributing to their reliability and longevity. Designed to prevent common device failures due to thermal and electrical stresses, these Power MOSFETs deliver exceptional performance and durability. The guaranteed FBSOAs at 75°C further solidify the reliability of this innovative solution

Funktionen

  • Low-power sleep mode conserves energy
  • Advanced power management for efficient operation
  • Dual-core processing for enhanced performance

Anwendung

  • Advanced thermal regulation
  • Intelligent load sensing
  • Flexible voltage adjustment

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: IXYS Product Category: Discrete Semiconductor Modules
RoHS: Details Product: Power MOSFET Modules
Type: Linear Power MOSFET Technology: Si
Vr - Reverse Voltage: 50 V Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Mounting Style: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: IXTN200N10 Packaging: Tube
Brand: IXYS Configuration: Single
Id - Continuous Drain Current: 178 A Number of Channels: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 830 W Product Type: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance: 11 mOhms Factory Pack Quantity: 10
Subcategory: Discrete Semiconductor Modules Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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