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IXTN600N04T2
Power MOSFET module with GigaMOS Trench technology
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTN600N04T2
Datenblatt: IXTN600N04T2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227B
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $32,254 | $32,254 |
| 200 | $12,482 | $2496,400 |
| 500 | $12,043 | $6021,500 |
| 1000 | $11,826 | $11826,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXTN600N04T2 Allgemeine Beschreibung
Featuring a TRENCH T2 GIGA MOS design, the IXTN600N04T2 delivers efficient power conversion with minimal losses. The silicon-based metal-oxide semiconductor technology ensures reliable performance and high efficiency in demanding power applications
Funktionen
- International Standard Package
- miniBLOC, with Aluminium Nitride
- Isolation
- 175°C Operating Temperature
- Isolation Voltage 2500 V~
- High Current Handling Capability
- Fast Intrinsic Diode
- Avalanche Rated
- Low RDS(on)
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | Trench | Technology: | Si |
| Vr - Reverse Voltage: | 20 V | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Mounting Style: | Chassis Mount | Package / Case: | SOT-227B |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | IXTN600N04 | Packaging: | Tube |
| Brand: | IXYS | Fall Time: | 250 ns |
| Output Current: | 600 A | Pd - Power Dissipation: | 940 W |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rise Time: | 20 ns |
| Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
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