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$5000IXTP120P065T
IXTP120P065T MOSFET - P-Channel, 65 Volts, 120 Amperes, TO-220AB Package
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTP120P065T
Datenblatt: IXTP120P065T Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.447 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTP120P065T Allgemeine Beschreibung
This Trench P-Channel MOSFET, product code IXTP120P065T, offers exceptional performance for high side switching applications. Its design allows for the use of a straightforward drive circuit referenced to ground, eliminating the need for extra high side driver circuitry that is commonly used with N-Channel MOSFETs. This innovative feature not only simplifies the design process but also reduces component count, resulting in a more cost-effective solution overall. Additionally, the compatibility of this MOSFET with a corresponding N-Channel MOSFET enables the creation of a complementary power output stage, offering even greater flexibility in power control applications
Funktionen
- Compact and lightweight design
- Easy integration options
- Robust electrostatic discharge protection
- High accuracy measurements
Anwendung
- Flexible power supply options
- Simple load switches
- Efficient battery charging
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | TrenchP™ | Package | Tube |
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13200 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 298W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 | Package / Case | TO-220-3 |
Base Product Number | IXTP120 |
Versand
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