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IXTP60N10T 48HRS

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXTP60N10T

Datenblatt: IXTP60N10T Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.571 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,928 $0,928
10 $0,772 $7,720
30 $0,694 $20,820
100 $0,617 $61,700
500 $0,524 $262,000
1000 $0,500 $500,000

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IXTP60N10T Allgemeine Beschreibung

The IXTP60N10T Trench Gate Power MOSFETs are a perfect choice for applications that demand both low voltage and high current capabilities. With an impressively low RDS(on), these MOSFETs ensure minimal power dissipation, making them highly efficient in various settings. Additionally, their wide operating junction temperature range, from -40°C to 175°C, means they can excel in challenging environments, such as automotive applications

Funktionen

  • Reduced Emissions
  • Increased Reliability
  • Advanced Technology

Anwendung

  • Flexible power systems
  • Smart power technologies
  • Optimized power efficiency

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Series Trench Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3 Package / Case TO-220-3
Base Product Number IXTP60

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The IXTP60N10T is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and performance in a variety of power switching applications. It features a maximum drain current of 60A, a low on-resistance of 0.1 ohms, and a high gate threshold voltage of 4V. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IXTP60N10T chip are: 1. IXTN55N100T 2. IXTP100N06T 3. IXTP120N10T 4. IXTP160N10T 5. IXFN270N10T
  • Features

    The IXTP60N10T is a Power MOSFET with a drain current of 60A, voltage rating of 100V, and a low on-resistance of 0.038ohms. It is designed for high power applications and offers high performance, reliability, and efficiency. Additionally, it has a TO-220 package for easy mounting and handling.
  • Pinout

    The IXTP60N10T is a N-channel power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins - Gate (1), Drain (2), and Source (3). The function of this MOSFET is to control the flow of power between the Drain and Source pins by applying a voltage to the Gate pin.
  • Manufacturer

    IXTP60N10T is manufactured by IXYS Corporation, a company specializing in the production of power semiconductor devices, components, and systems. IXYS Corporation focuses on providing innovative solutions for a wide range of industries including telecommunications, industrial, medical, and automotive. They are known for their high-performance products and commitment to delivering high-quality solutions to their customers.
  • Application Field

    The IXTP60N10T is a power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor control, inverters, and switching regulators. It is ideal for high current and high voltage applications, providing efficient power management and control in industrial, automotive, and consumer electronics devices.
  • Package

    The IXTP60N10T chip is a TO-220AB package type with a through-hole mounting style. It comes in a single package form and its size is 10.67mm x 21.34mm x 3.56mm.

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