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$5000IXTP6N50D2
IXTP6N50D2 is a TO-220-3 MOSFET, compliant with ROHS regulations
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTP6N50D2
Datenblatt: IXTP6N50D2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTP6N50D2 Allgemeine Beschreibung
The IXTP6N50D2 product offers a unique advantage over enhancement-mode MOSFETs by operating in a 'normally-on' mode, meaning no turn-on voltage is required at the gate terminal. This feature simplifies control and reduces power dissipation in systems that need to be continuously powered, such as emergency or burglar alarms. With a high blocking voltage of up to 1700V and low drain-to-source resistance, these depletion-mode devices are ideal for applications where reliability and efficiency are key
Funktionen
- Safe and reliable performance
- High current rating available
- Epoxy encapsulated
Anwendung
- High power applications
- Inverter drives
- Switch-mode power supplies
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 96 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 300 W | Channel Mode: | Depletion |
Series: | IXTP6N50 | Packaging: | Tube |
Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
Fall Time: | 43 ns | Forward Transconductance - Min: | 2.8 S |
Height: | 16 mm | Length: | 10.66 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 72 ns |
Factory Pack Quantity: | 50 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | Depletion Mode MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
Width: | 4.83 mm |
Versand
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