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$5000KLM8G2FE3B-B001
Flash Card, 8GX8, PBGA153, FBGA-153
Marken: SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Herstellerteil #: KLM8G2FE3B-B001
Datenblatt: KLM8G2FE3B-B001 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: BGA
Produktart: Flash Memories
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.554 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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KLM8G2FE3B-B001 Allgemeine Beschreibung
Dense. Sophisticated mobile devices require high-den sity content storage that supports high-defnition video playback and other high-end multimedia features. As a result, memory densities are advancing at rapid rates.
Robust. Todays fastest and most demanding embed ded uses require strong memory management solu tions. Embedded uses include multifunctional smart phones, portable media players and tablet computers.
Small. The Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) requires memory to be produced in extremely compact sizes to allow space for other components.
To focus on these demands, developers need an effcient way to control software development by simplifying mass storage designs and improving device production. Develop ers also require the ability to create effcient mobile device designs with minimal costs and brief time to market. Finally, they need superior storage capabilities to augment device production.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| Package Description | FBGA-153 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.51 |
| Additional Feature | 1.8V NOMINAL SUPPLY IS ALSO AVAILABLE | Clock Frequency-Max (fCLK) | 52 MHz |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B153 | Length | 13 mm |
| Memory Density | 68719476736 bit | Memory IC Type | FLASH CARD |
| Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
| Number of Terminals | 153 | Number of Words | 8589934592 words |
| Number of Words Code | 8000000000 | Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | -25 °C |
| Organization | 8GX8 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | VFBGA | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3.3 V | Seated Height-Max | 1 mm |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V | Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V | Surface Mount | YES |
| Technology | CMOS | Temperature Grade | OTHER |
| Terminal Form | BALL | Terminal Pitch | 0.5 mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The KLM8G2FE3B-B001 chip is a NAND flash memory chip developed by Samsung. It has a storage capacity of 8GB and uses the Toggle DDR2.0 interface. The chip offers high-performance data transfer rates and low power consumption, making it suitable for use in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and digital cameras.
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Features
KLM8G2FE3B-B001 is a NAND flash storage chip manufactured by Micron. It offers a capacity of 8GB, utilizing the eMMC interface for data transfer. It is designed to be used in various electronic devices, such as smartphones or tablets, providing reliable storage for applications, data, and media files. -
Pinout
The KLM8G2FE3B-B001 has 153 pins and is a memory device commonly used in mobile devices, such as smartphones and tablets. -
Manufacturer
The manufacturer of the KLM8G2FE3B-B001 is Samsung. It is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various industries such as electronics, shipbuilding, construction, and more. -
Application Field
The KLM8G2FE3B-B001 is a high-performance solid-state drive (SSD) that is commonly used in applications such as laptops, ultrabooks, gaming consoles, and other portable devices. It provides fast and reliable storage for these devices, improving overall performance and data access speed. -
Package
The KLM8G2FE3B-B001 chip has a package type of FBGA, a form factor of eMMC (embedded MultiMediaCard), and a size of 8G (gigabyte).
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