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$5000NEXPERIA PBSS5420D,115
Bipolar (BJT) Transistor PNP 20 V 4 A 80MHz 1.1 W Surface Mount 6-TSOP
Marken: Nexperia
Herstellerteil #: PBSS5420D,115
Datenblatt: PBSS5420D,115 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 6-TSOP
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.501 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PBSS5420D,115 Allgemeine Beschreibung
With the PBSS5420D,115, engineers can take advantage of its breakthrough in small signal performance to achieve optimal circuit designs. The SOT457 (SC-74) package is easy to work with and allows for efficient surface-mounted assembly, saving time and resources in production. Whether used on its own or in conjunction with the PBSS4420D, this transistor offers reliable and consistent performance for a wide range of applications
Funktionen
- Low distortion and noise
- 1.3 V output swing
- 20 dB gain flatness
Anwendung
- Powerful power management capabilities
- Innovative charging circuit solutions
- Efficient DC-to-DC conversion technology
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Nexperia | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | PNP |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum DC Collector Current | 4 A | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Nexperia |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 | DC Current Gain hFE Max | 250 at 500 mA, 2 V |
| Height | 1 mm | Length | 3.1 mm |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | Transistors | Technology | Si |
| Width | 1.7 mm | Part # Aliases | 934058274115 |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
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|---|---|---|---|
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