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$5000NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115
NextPower technology LFPAK MOSFET
Marken: NEXPERIA
Herstellerteil #: PSMN1R0-30YLC,115
Datenblatt: PSMN1R0-30YLC,115 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: LFPAK56, Power-SO8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.532 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PSMN1R0-30YLC,115 Allgemeine Beschreibung
Whether you are a seasoned engineer or a hobbyist looking to upgrade your projects, the PSMN1R0-30YLC,115 offers the performance and reliability you need. Its LFPAK package ensures easy installation and integration, while its logic level enhancement mode simplifies operation across different voltage levels. Backed by stringent quality testing and industry-leading design, this MOSFET is the smart choice for those seeking a versatile and dependable solution for their electronic needs
Funktionen
- Low loss and fast switching MOSFETs
- Wide operating temperature range ensured
- High reliability for harsh environments
Anwendung
- Electric motor drives
- HVAC systems
- Off-grid power solutions
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | PSMN1R0-30YLC,115 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | NEXPERIA |
| Part Package Code | SOIC | Package Description | PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4 |
| Pin Count | 4 | Manufacturer Package Code | SOT669 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia | Additional Feature | HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 259 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0014 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MO-235 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 1450 A |
| Reference Standard | IEC-60134 | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103.5 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6645 pF @ 15 V | Power Dissipation (Max) | 272W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 | Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Base Product Number | PSMN1R0 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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