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ST SCTWA60N120G2-4

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics, Inc

Herstellerteil #: SCTWA60N120G2-4

Datenblatt: SCTWA60N120G2-4 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: HiP247-4

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.214 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SCTWA60N120G2-4 Allgemeine Beschreibung

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Funktionen

  • Very fast and robust intrinsic body diode
  • Extremely low gate charge and input capacitance
  • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
  • Source sensing pin for increased efficiency

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
feature-packaging Tube feature-rad-hard
feature-pin-count 4 feature-supplier-package HIP-247
feature-standard-package-name1 feature-cecc-qualified
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET designed for high-frequency and efficiency applications. It offers low switch and conduction losses, making it suitable for use in power supplies, motor drives, and renewable energy systems. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 60A, this chip is ideal for high-power applications that require fast switching speeds and reliable performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of SCTWA60N120G2-4 chip are Infineon's IGBT modules with similar specifications, such as FF600R17ME4, FF450RA17KE3, and FF450RA17KF4. They are all high-power IGBT modules designed for industrial applications with similar current and voltage ratings.
  • Features

    Some features of SCTWA60N120G2-4 include a VCEsat of 1.95V, a maximum continuous collector current of 60A, a maximum collector-emitter voltage of 1200V, and a switching frequency of 20kHz. It is a silicon carbide trench Schottky diode with low switching losses and high efficiency.
  • Pinout

    The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET with a TO-247-4 package. It has 3 pins: gate (G), source (S), and drain (D). It is designed for high-power applications due to its 1200V voltage rating and 60A current rating.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of SCTWA60N120G2-4. Infineon is a German semiconductor manufacturer that focuses on power and chip card security. They specialize in providing products for applications such as automotive, industrial, and digital power control.
  • Application Field

    SCTWA60N120G2-4 is commonly used in high power applications such as industrial motor drives, power supplies, renewable energy systems, and electric vehicle charging. It is suitable for use in applications requiring high voltage and high current handling capabilities, making it a versatile choice for various power electronics applications.
  • Package

    The SCTWA60N120G2-4 chip is a power module with a TO-247 package type. It has a single form and a size of 30.0mm x 50.7mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation SCTWA60N120G2-4 PDF Herunterladen

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