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$50002N7002ET1G
ON Semiconductor's SOT-23-packaged MOSFET featuring N-channel design, 60V voltage capacity, and 0.26A current rating
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: 2N7002ET1G
Datenblatt: 2N7002ET1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 4.488 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2N7002ET1G Allgemeine Beschreibung
The 2N7002ET1G N Channel Mosfet by Onsemi offers a maximum drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 310mA, making it suitable for a wide range of electronic applications. Its surface mount mounting and low Rds(On) test voltage of 10V make it easy to implement in circuit designs while ensuring high efficiency and minimal power loss. Furthermore, its RoHS compliance reflects its adherence to environmentally friendly manufacturing practices, making it a suitable choice for eco-conscious projects and sustainable initiatives
Funktionen
- High Power Density
- Small Footprint
- Thermal Management
Anwendung
- Power Management
- Audio Amplifier
- Battery Charger
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 60 |
VGS Max (V) | 20 | VGS(th) Max (V) | 2.5 |
ID Max (A) | 0.31 | PD Max (W) | 0.042 |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 3000 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 2500 |
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 0.81 | Ciss Typ (pF) | 26.7 |
Pricing ($/Unit) | $0.0236Sample |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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