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ON SI4435DY
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: SI4435DY
Datenblatt: SI4435DY Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.609 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,276 | $1,380 |
| 50 | $0,220 | $11,000 |
| 150 | $0,197 | $29,550 |
| 500 | $0,161 | $80,500 |
| 3000 | $0,148 | $444,000 |
| 6000 | $0,139 | $834,000 |
Auf Lager: 3.609 Stck
SI4435DY Allgemeine Beschreibung
The SI4435DY is a P-channel MOSFET with a continuous drain current (Id) of -8.8A and a drain-source voltage (Vds) of -30V. It has an on resistance (Rds(on)) of 0.015ohm and a threshold voltage (Vgs) that is within specified limits. This MOSFET is designed for use in a variety of applications where P-channel transistors are required
Funktionen
- -8.8 A, -30 V
- RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V - Low gate charge (17nC typical)
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | SI4435DY | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | SO-8 | Manufacturer Package Code | 751EB |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 39 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Application | SWITCHING | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON | Manufacturer: | onsemi |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 | Transistor Polarity: | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.8 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | PowerTrench |
| Series: | SI4435DY | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 25 ns | Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Height: | 1.75 mm | Length: | 4.9 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 13.5 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Width: | 3.9 mm | Part # Aliases: | SI4435DY_NL |
| Unit Weight: | 0.004586 oz |
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