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ON FDD3670
FDD3670 100V N-Channel Power MOSFET TO-252AA Package
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDD3670
Datenblatt: FDD3670 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3 (TO-252-3)
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3814 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDD3670 Allgemeine Beschreibung
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Funktionen
- 34 A, 100 V
- RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 6 V
- Low gate charge (57 nC typical)
- Fast switching speed.
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON).
- High power and current handling capability.
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 80 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 3.8 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDD3670 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 25 ns | Forward Transconductance - Min | 31 S |
| Height | 2.39 mm | Length | 6.73 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Width | 6.22 mm | Part # Aliases | FDD3670_NL |
| Unit Weight | 0.011640 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDD3670 chip is a power MOSFET transistor used for switching applications. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for various power management circuitry. The chip’s low switching losses and fast switching speed make it ideal for applications such as motor control, power supplies, and lighting systems.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the FDD3670 chip as it is a unique chip with its own specifications and features. However, there may be other similar power MOSFETs available in the market that can offer comparable functionality. -
Features
The FDD3670 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 72A, making it suitable for various high-power applications. It features low ON-resistance, excellent thermal stability, and fast switching performance, providing efficient power management solutions in electronic devices. -
Pinout
The FDD3670 is a 10-pin N-Channel PowerTrench MOSFET. Its pins include the gate, source, and drain terminals for control and power applications. It is designed for efficient operation and high performance in power management circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDD3670 is Fairchild Semiconductor. It is a global company that specializes in the design, development, and production of power semiconductors and integrated circuits. Fairchild Semiconductor provides a diverse range of products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDD3670 is a power MOSFET designed for use in applications such as motor drives, LED lighting, and switching power supplies. It can also be used in industrial automation and automotive systems where high current handling and low conduction losses are required. -
Package
The FDD3670 chip is available in a package type of DPAK, with a form factor of TO-252AA. It has a size dimension of approximately 6.6 mm x 9.7 mm.
Datenblatt PDF
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