ON FCB20N60TM
High Power MOSFET
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FCB20N60TM
Datenblatt: FCB20N60TM Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3012 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $4,730 | $4,730 |
10 | $4,151 | $41,510 |
30 | $3,806 | $114,180 |
100 | $3,459 | $345,900 |
500 | $3,210 | $1605,000 |
800 | $3,137 | $2509,600 |
In Stock:3012 PCS
FCB20N60TM Allgemeine Beschreibung
SuperFET® MOSFET is the first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Funktionen
- 650V @TJ = 150°C
- Typ. RDS(on) = 150mΩ
- Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 75nC )
- Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 165pF )
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active, Not Rec | Compliance | PbAHP |
Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 245 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 600 |
ID Max (A) | 20 | PD Max (W) | 208 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 190 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 75 |
Pricing ($/Unit) | $2.34Sample |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FCB20N60TM chip is a power MOSFET transistor designed for high power switching applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 20A, making it suitable for use in various power electronics systems. The chip features low on-resistance, fast switching speed, and high thermal efficiency, making it ideal for applications such as motor drives, power supplies, and inverters.
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Features
The FCB20N60TM is a power MOSFET transistor with a breakdown voltage of 600V, a continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.15Ω. It offers excellent switching characteristics and is suitable for various high-power applications. -
Pinout
The FCB20N60TM is a power MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are gate (G), source (S), and drain (D). -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the FCB20N60TM. It is a multinational semiconductor and system solutions company that offers a wide range of products for various industries like automotive, industrial, and power management. -
Application Field
The FCB20N60TM is a power MOSFET commonly used in applications such as high-speed switching power supplies, inverters, motor drives, and other industrial equipment that requires high current handling and efficiency. It can also be used in automotive applications for electric vehicle powertrain systems, battery management, and hybrid electric vehicles. -
Package
The FCB20N60TM chip is available in a TO-220 package type with a through-hole mounting method. Its form is single-ended and its size is approximately 10.6mm x 15.8mm x 4.6mm.
Datenblatt PDF
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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