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ON FCPF11N60F

N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: FCPF11N60F

Datenblatt: FCPF11N60F Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220F

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3193 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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FCPF11N60F Allgemeine Beschreibung

SuperFET® MOSFET is the first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low onresistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. Super-FET FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverse recovery performance can remove additional component and improve system reliability.

fcpf11n60f

Funktionen

  • 600 V @ TJ = 150°C
  • Typ. RDS(on) = 320 mΩ
  • Fast Recovery Type (trr = 120 ns)
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 40 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 95 pF)
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS compliant

Anwendung

  • AC-DC Power Supplies

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Id - Continuous Drain Current: 11 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 380 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V Qg - Gate Charge: 52 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 125 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: SuperFET FRFET Series: FCPF11N60F
Packaging: Tube Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Fall Time: 56 ns
Forward Transconductance - Min: 9.7 S Height: 16.07 mm
Length: 10.36 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 98 ns Factory Pack Quantity: 50
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Type: N-Channel MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 119 ns
Typical Turn-On Delay Time: 34 ns Width: 4.9 mm
Unit Weight: 0.068784 oz feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology SuperFET
feature-configuration Single feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 600 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±30
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 5 feature-maximum-continuous-drain-current-a 11
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 380@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 40@10V
feature-typical-gate-charge-10v-nc 40 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 1148@25V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 36000
feature-packaging Tube feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package TO-220FP
feature-standard-package-name1 TO feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • FCPF11N60F is a MOSFET chip primarily used for power switching applications. It can handle a maximum voltage of 600V and a continuous drain current of 11A. This chip is designed for efficient power conversion and features low on-resistance, high-speed switching capabilities, and low gate charge. It also includes built-in protection features such as over-temperature and short-circuit protection.
  • Equivalent

    There are currently no direct equivalent products to the FCPF11N60F chip. However, similar alternatives with comparable specifications and performance can be found from other manufacturers, such as Infineon's CoolMOS, Fairchild's SuperFET, or ON Semiconductor's High Voltage Power MOSFETs.
  • Features

    The FCPF11N60F is a power MOSFET with a drain-source voltage rating of 600V and a current rating of 11A. It features low on-resistance, fast switching speed, and high avalanche energy capability. It is housed in a TO-220F package, making it suitable for various industrial and consumer applications requiring high-performance power switching.
  • Pinout

    The FCPF11N60F is a power MOSFET with a pin count of 3. The three pins are Gate, Source, and Drain. The Gate pin controls the switching of the MOSFET, while the Source and Drain pins control the flow of current through the device.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FCPF11N60F is Fairchild Semiconductor. It is a global company that specializes in the design, development, and production of power semiconductors and integrated circuits.
  • Application Field

    The FCPF11N60F is a high-voltage Power MOSFET suitable for various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and inverters.
  • Package

    The FCPF11N60F chip is available in a TO-220F package type, has a single form, and its size is approximately 10.16mm x 3.81mm x 20.57mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FCPF11N60F PDF Herunterladen

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