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ON SI4532DY
30V Dual N & P-Channel FET with 65mOhm Resistance, Surface Mountable in SOIC-8 Package
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: SI4532DY
Datenblatt: SI4532DY Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOIC-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3207 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,342 | $1,710 |
| 50 | $0,277 | $13,850 |
| 150 | $0,249 | $37,350 |
| 500 | $0,205 | $102,500 |
| 3000 | $0,189 | $567,000 |
| 6000 | $0,180 | $1080,000 |
In Stock:3207 PCS
SI4532DY Allgemeine Beschreibung
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Funktionen
- P-Channel
-3.5 A,-30V
RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS = -10V
RDS(ON) = 0.190 Ω @ VGS = -4.5V - N-Channel
3.9 A, 30V
RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 10V
RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 4.5V - High power and current handling capability in a widely used surface mount package
- High density cell design for extremely low RDS(ON)
- Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mountpackage
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 53 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V, 3 V |
| Qg - Gate Charge | 15 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | SI4532DY |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Dual |
| Fall Time | 0.8 ns, 6 ns | Forward Transconductance - Min | 7 S, 5 S |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 18 ns, 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns, 18 ns | Typical Turn-On Delay Time | 7 ns, 9 ns |
| Width | 3.9 mm | Part # Aliases | SI4532DY_NL |
| Unit Weight | 0.008127 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI4532DY is a chip that is used in electronic devices for voltage regulation and power management. It has a high efficiency and can handle high currents, making it suitable for applications such as consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment. The chip helps to ensure stable and reliable operation of the devices it is used in.
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Equivalent
The equivalent products of the SI4532DY chip are SI4532DDY, SI4532BDY, and SI4532EDY. -
Features
The SI4532DY is a dual N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It is designed for applications such as power management, motor control, and load switching, offering efficiency and reliability. -
Pinout
The SI4532DY is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has 8 pins. The pin configuration consists of 4 pins for each MOSFET: gate (G), drain (D), and source (S). -
Manufacturer
SI4532DY is manufactured by Vishay Intertechnology. It is an American company that specializes in manufacturing semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI4532DY is a power management IC (PMIC) suitable for various applications, including smartphones, tablets, portable gaming devices, and other portable electronic devices. It specifically integrates features like power conversion, battery charging, and power distribution, making it ideal for these types of applications. -
Package
The SI4532DY chip has a package type of SOP-8 (Small Outline Package-8), a form factor of surface mount, and a compact size with dimensions of approximately 5.0 mm x 4.4 mm x 1.75 mm.
Datenblatt PDF
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The parts were exactly what I needed and arrived in excellent condition.