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SI7149DP-T1-GE3
VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: SI7149DP-T1-GE3
Datenblatt: SI7149DP-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-SO-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.546 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,704 | $0,704 |
| 10 | $0,620 | $6,200 |
| 30 | $0,579 | $17,370 |
| 100 | $0,538 | $53,800 |
| 500 | $0,514 | $257,000 |
| 1000 | $0,501 | $501,000 |
Auf Lager: 8.546 Stck
SI7149DP-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
MOSFET, P CH, 30V, 50A, PPAK SO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-50A; Power Dissipation Pd:69W; Voltage Vgs Max:25V
Funktionen
Halogen-free |TrenchFET® Power MOSFET |100% R Tested |100% UIS TestedAnwendung
Battery and Load Switching - Notebook Computers - Notebook Battery PacksSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4590 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI7149DP-T1-GE3 is a Dual N/P-Channel MOSFET used for high-efficiency power management in electronic devices. It has a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for applications requiring efficient power delivery. Additionally, it is designed to withstand high temperatures and provide reliable performance in a compact package.
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Equivalent
The equivalent products of SI7149DP-T1-GE3 chip are TPS78001DDCR and TPS78001DDCT chips. They are both Low Dropout Voltage Regulators with a fixed output voltage of 3.3V and comparable features and specifications. -
Features
SI7149DP-T1-GE3 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a dual N-channel configuration, a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 2.9A, a low on-resistance of 0.047 ohms, and a fast switching speed. It is ideal for synchronous rectification and power management applications. -
Pinout
SI7149DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include Gate 1, Source 1, Drain 1, Source 2, Drain 2, Gate 2, and two NC (no connection) pins. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the SI7149DP-T1-GE3. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in the production of various integrated circuits, power semiconductors, and sensors for automotive, industrial, and telecommunication applications. Established in 1999, Infineon Technologies is known for its innovation and high-quality products in the semiconductor industry. -
Application Field
SI7149DP-T1-GE3 is a dual N-channel 30V MOSFET with integrated Schottky diodes. It is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits. It is also suitable for high efficiency synchronous rectification and ORing functions in automotive, industrial, and consumer electronics. -
Package
The SI7149DP-T1-GE3 chip comes in a dual P-channel MOSFET package, with a form factor of DFN (Dual Flat No-Lead). Its size is 3mm x 3mm x 0.65mm.
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