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$5000SIA931DJ-T1-GE3
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: SIA931DJ-T1-GE3
Datenblatt: SIA931DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-6
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.805 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIA931DJ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Funktionen
- Silicon carbide substrate
- Low on-resistance
- Rugged and reliable performance
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 68 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 4.5 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.065 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 45 pF |
| JESD-30 Code | S-PDSO-N6 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | SQUARE |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 7.8 W |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual-channel high-speed comparator IC with a built-in reference voltage. It is designed for use in various applications such as voltage monitoring, level shifting, and signal conditioning. This chip offers a fast response time, low power consumption, and a wide input voltage range, making it suitable for use in a wide range of electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SIA931DJ-T1-GE3 chip are Infineon BSC883N10NS3G, Vishay SIR877DP-T1-GE3, and ON Semiconductor FDMF3035. These chips are also MOSFETs used for power management applications in electronic devices. -
Features
SIA931DJ-T1-GE3 is a Dual P-Channel 30 V MOSFET with integrated ESD protection. It has low on-resistance, high continuous drain current, and high ESD protection levels. This MOSFET is suitable for portable electronics, battery management systems, and load switches. -
Pinout
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual low-side power switch with a 8-pin configuration. It is designed for power distribution and load switching in automotive applications. It can handle a maximum load current of 2A per channel. -
Manufacturer
The manufacturer of SIA931DJ-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in the design and production of a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix is known for its high-quality products that are widely used in various industries such as automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SIA931DJ-T1-GE3 is commonly used in voltage level shifting, level translation, and signal isolation applications. It is frequently used in industrial automation, automotive electronics, power systems, communication equipment, and medical devices to isolate and protect sensitive components and ensure reliable data transmission. -
Package
The SIA931DJ-T1-GE3 chip is available in a surface-mount package type with a form factor of SOIC-8. Its dimensions are 4.9mm x 3.9mm x 1.65mm.
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