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ST STB31N65M5
N-Channel 650 V 22A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: STB31N65M5
Datenblatt: STB31N65M5 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.364 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,390 | $1,390 |
| 10 | $1,361 | $13,610 |
| 30 | $1,340 | $40,200 |
| 100 | $1,322 | $132,200 |
Auf Lager: 3.364 Stck
STB31N65M5 Allgemeine Beschreibung
These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
Funktionen
- Extremely low RDS(on)
- Low gate charge and input capacitance
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | D2PAK |
| feature-standard-package-name1 | TO-263 | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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STB31N65M5 is a power MOSFET chip primarily used in high-voltage applications. It offers low gate charge, low on-resistance, and a high current rating. The chip's design ensures efficient power conversion, making it suitable for a wide range of applications, including motor control, power supplies, and lighting systems.
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Features
The STB31N65M5 is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 650V, a drain current of 30A, and a low on-state resistance. It features high switching speed, low gate charge, and excellent thermal resistance. This MOSFET is suitable for applications such as power supplies, lighting systems, and motor control. -
Pinout
The STB31N65M5 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the STB31N65M5 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor and electronics company headquartered in Switzerland. -
Application Field
The STB31N65M5 is a power MOSFET primarily used in applications such as switch mode power supplies, motor control, and high-frequency converters. Its low on-resistance and fast switching characteristics make it suitable for high-power and efficient applications, especially in industrial and automotive sectors. -
Package
The STB31N65M5 chip is in a TO-220 package type, with a single form (through-hole mount), and its size is approximately 10.16 mm x 5.21 mm x 9.91 mm.
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