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ST STP110N7F6
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STP110N7F6
Datenblatt: STP110N7F6 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.355 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,546 | $0,546 |
| 10 | $0,463 | $4,630 |
| 50 | $0,421 | $21,050 |
| 100 | $0,379 | $37,900 |
| 500 | $0,317 | $158,500 |
| 1000 | $0,305 | $305,000 |
Auf Lager: 3.355 Stck
STP110N7F6 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Funktionen
- Drain-source voltage (VDS): 70V
- Continuous drain current (ID): 110A
- Low on-state resistance (RDS(on)): 7.6mΩ (maximum)
- Gate-source voltage (VGS) range: +/- 20V
- Fast switching speed
- Low gate charge
- RoHS compliant
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 68 V |
| Id - Continuous Drain Current | 110 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 100 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 176 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | STripFET |
| Series | STP110N7F6 | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The STP110N7F6 is a power mosfet chip manufactured by stmicroelectronics. it is designed for high power applications and has a rated voltage of 70v and a maximum continuous drain current of 110a. with low on-resistance and fast switching performance, this chip is commonly used in various power electronics applications like motor control, power supplies, and inverters.
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Equivalent
There are several equivalent products available for the STP110N7F6 chip, including irf3205, irf3710, irfb3077, and irf3808. these chips have similar specifications and can be used as alternatives in various applications that require similar performance characteristics. -
Features
The STP110N7F6 is a power mosfet transistor. some of its features include a low on-resistance, high voltage rating, and fast switching capability. it is designed to be used in various power management applications, especially in low voltage systems. -
Pinout
The STP110N7F6 is a mosfet transistor with a to-220 package. it has 3 pins: gate, drain, and source. this transistor is commonly used for high-power applications, such as motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
The manufacturer of the STP110N7F6 is stmicroelectronics. it is a global semiconductor company that designs, manufactures, and distributes a wide range of electronic products. stmicroelectronics specializes in providing solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer, and communications. -
Application Field
The STP110N7F6 is a power mosfet transistor that can be used in various applications, including power supplies, motor control, and automotive systems. -
Package
The STP110N7F6 chip comes in a to-220 package type, has a transistor form, and a size of approximately 10.4mm x 15.3mm.
Datenblatt PDF
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