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NXP BC847BVN
Complementary, 45V, 0.1A, SOT563
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: BC847BVN
Datenblatt: BC847BVN Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-563-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.157 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,053 | $0,530 |
| 100 | $0,043 | $4,300 |
| 300 | $0,038 | $11,400 |
| 3000 | $0,034 | $102,000 |
| 6000 | $0,031 | $186,000 |
| 9000 | $0,029 | $261,000 |
Auf Lager: 2.157 Stck
BC847BVN Allgemeine Beschreibung
NPN/PNP transistor in a SOT666 ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Funktionen
- 300 mW total power dissipation
- Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package
- Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area
- Reduced required PCB area
- Reduced pick and place costs
Anwendung
- General purpose switching and amplification
- Switch mode power supply complementary MOSFET driver
- Complementary driver for audio amplifiers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Diodes Incorporated | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP | Configuration: | Dual |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V | Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V | Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | BC847BV | Brand: | Diodes Incorporated |
| Continuous Collector Current: | 100 mA | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| Height: | 0.6 mm | Length: | 1.6 mm |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 1.2 mm |
| Unit Weight: | 0.000212 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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