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$5000Infineon BSC070N10NS5SCATMA1
N-channel power MOSFET with 100V voltage rating and 14A current rating
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC070N10NS5SCATMA1
Datenblatt: BSC070N10NS5SCATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-WSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.408 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC070N10NS5SCATMA1 Allgemeine Beschreibung
The BSC070N10NS5SCATMA1 is designed to meet the demands of high power applications, with a focus on efficient switching and reduced power dissipation. Its 100V N-channel, enhancement mode and a maximum continuous drain current of 70A make it suitable for demanding environments. The low on-resistance of 0.010 ohms contributes to improved thermal performance, while the gate threshold voltage of 2.5V ensures compatibility with standard logic level drive signals
Funktionen
- High performance silicon technology
- Low top-side R
- thJC
- Package rated to>
- Industry-standard footprint, compatible with SuperSO8 and PQFN 5x6 products
- Lower conduction losses and switching losses for higher system efficiency
- Improved heat dissipation for high power density and improved reliability
- Superior power handling capability and ruggedness for longer lifetime
- Drop-in replacement for SuperSO8 and PQFN 5x6 easy to design-in, no PCB layout change
Anwendung
- Power and gardening tools
- Service robots and automated guided vehicles (AGVs)
- Telecom power supplies
- Server power supplies
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SuperSO-8 | Transistor Polarity: | N-Channel |
Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
Qg - Gate Charge: | 38 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 83 W |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Cut Tape |
Brand: | Infineon Technologies | Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 38 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 4000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Part # Aliases: | BSC070N10NS5SC SP005348852 |
Versand
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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