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$5000Infineon BSS606N
Ideal for high-frequency and high-power circuit designs
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSS606N
Datenblatt: BSS606N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-89
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.703 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSS606N Allgemeine Beschreibung
Whether you are working on advanced driver assistance systems (ADAS) or designing cutting-edge LED lighting solutions, the BSS606N is a reliable and efficient choice for your project. With Infineon Technologies' reputation for excellence in the semiconductor industry, you can be confident that these N- and P-Channel MOSFETs will deliver the performance and quality you need to succeed
Funktionen
- Suitable for switching and amplifying signals.
- Wide operating voltage range.
- Low noise and distortion.
Anwendung
- Smartphone power management
- Industrial motor control
- Efficient battery charging
- Solar power conversion
- Eco-friendly LED lighting
- Advanced automotive tech
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
VDS max | 60.0 V | IDpuls max | 12.8 A |
VGS(th) max | 2.3 V | VGS(th) min | 1.3 V |
RthJC max | 10.0 K/W | RthJA max | 125.0 K/W |
Ptot max | 1.0 W | Package | SOT-89 |
Polarity | N | Mounting | SMD |
Mode | Enhancement | Special Features | Small Power |
RDS (on) max | 60.0 mΩ | ID max | 3.2 A |
QG max | 3.7 nC |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
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2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSS606N is a N-channel enhancement mode vertical DMOS transistor in a small SOT223 package. It is designed for use in DC-DC converters, motor controls, and high-speed switching applications. This transistor features low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for various power management and control applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSS606N chip are IRLR7843PbF, BSS84, PSMN5R0-30YL and AUIPS6041. -
Features
The BSS606N is a N-channel power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 60V and maximum continuous drain current of 33A. It features low on-resistance, high transconductance, and fast switching speeds, making it ideal for power management applications in a variety of electronic devices. -
Pinout
BSS606N is a N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of BSS606N is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products such as power semiconductors, sensors, and microcontrollers for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon is known for its innovative technology and high-quality products in the semiconductor industry. -
Application Field
Application areas of BSS606N include automotive, industrial equipment, consumer electronics, and power management. It can be used in diverse circuits for voltage regulation, battery protection, and motor control applications. Its low RDS(on) and high current capability make it suitable for both high and low power applications. -
Package
The BSS606N is a surface mount, N-channel enhancement mode MOSFET transistor. It comes in a SOT-223 package, which has a size of 6.7mm x 3.7mm x 2.5mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte