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$5000ON FDMC4435BZ-F127
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDMC4435BZ-F127
Datenblatt: FDMC4435BZ-F127 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: WDFN-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.729 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDMC4435BZ-F127 Allgemeine Beschreibung
This P-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This devie is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Funktionen
- Max rDS(on) = 20.0mΩ at VGS = -10V, ID = -8.5A
- Max rDS(on) = 37.0mΩ at VGS = -4.5V, ID = -6.3A
- Extended VGSS range (-25V) for battery applications
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability
- HBM ESD protection level >7kV typical
- 100% UIL Tested
- Termination is Lead-free and RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | Power-33-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 31 W |
| Configuration: | Single | Height: | 0.8 mm |
| Length: | 3.3 mm | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Width: | 3.3 mm | Brand: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Part # Aliases: | FDMC4435BZ_F127 |
| Unit Weight: | 0.010582 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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