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$5000ON FDMS0310AS
N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDMS0310AS
Datenblatt: FDMS0310AS Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SON8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.345 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDMS0310AS Allgemeine Beschreibung
As a next-generation power conversion solution, the FDMS0310AS offers a compelling blend of efficiency, performance, and innovation. Its optimized design, leveraging advancements in silicon and packaging technologies, enables it to deliver ultra-low rDS(on) values while maintaining exceptional switching characteristics. Additionally, the inclusion of a highly efficient monolithic Schottky body diode enhances its overall efficiency, making it a standout choice for applications where minimizing power losses is crucial. With the FDMS0310AS, engineers can confidently push the boundaries of power conversion technology and achieve new levels of efficiency and performance
Funktionen
- Silicon and metal combination for high efficiency
- Fast switching and low power consumption achieved
- 100% tested for reliability and quality
- Robust MSL1 package design for long lifespan
- SynchFET Schottky Body Diode for improved performance
Anwendung
- Printer
- Scanner
- Speaker
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | Power-56-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 19 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | PowerTrench SyncFET | Series: | FDMS0310AS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 3.2 ns |
| Height: | 1.1 mm | Length: | 6 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 3.9 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Width: | 5 mm | Unit Weight: | 0.002610 oz |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | Si |
| feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 30 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 3 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 19 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 4.3@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected]|27@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 27 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1715@15V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2500 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
| feature-supplier-package | PQFN EP | feature-standard-package-name1 | QFN |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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