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$5000ON FDPC8014S
Mosfet Array 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDPC8014S
Datenblatt: FDPC8014S Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: MLP5X6
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.659 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDPC8014S Allgemeine Beschreibung
With its dual package configuration and advanced design, the FDPC8014S sets a new standard for ease and efficiency in synchronous buck converter applications. The integrated switch node simplifies placement and routing, while the specialized control MOSFET (Q1) and SyncFET™ (Q2) deliver unparalleled power performance. Whether you're tackling complex power management challenges or looking for an energy-efficient solution, this device offers the versatility and reliability needed to excel in a variety of projects
Funktionen
- Silicon-based dielectric material ensures excellent reliability
- Advanced package design minimises thermal resistance
- Wide operating temperature range -40°C to 125°C
- Made with lead-free solder for eco-friendly production
Anwendung
- Cloud Computing
- Telecommunications
- Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDPC8014S | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Lifetime Buy | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | ROHS COMPLIANT, POWER CLIP 56, 8 PIN | Manufacturer Package Code | 483AR |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 4 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 73 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 25 V |
| Drain Current-Max (ID) | 20 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0038 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 42 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 75 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TrenchFET | feature-configuration | Dual |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 2 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 25 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±12 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 2.5 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 20@Q 1|41@Q 2 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 3.8@10V@Q 1|1.2@10V@Q 2 |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 25@10V|[email protected]@Q 1|93@10V|[email protected]@Q 2 | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 25@Q 1|93@Q 2 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1695@13V@Q 1|6580@13V@Q 2 | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2100@Q 1|2300@Q 2 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
| feature-supplier-package | Power 56 EP | feature-standard-package-name1 | |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
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| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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