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H5TQ4G83MFR-H9C

Speedy LPDDRchip for efficient mobile computin

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: SKHYNIX

Herstellerteil #: H5TQ4G83MFR-H9C

Datenblatt: H5TQ4G83MFR-H9C Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: FBGA78

Produktart: Speicher

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.478 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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H5TQ4G83MFR-H9C Allgemeine Beschreibung

DescriptionThe H5TQ2G43CFR-xxC, H5TQ2G83CFR-xxC are a 2,147,483,648-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK hynix 2Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the CK), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth.FEATURES• VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V• Fully differential clock inputs (CK, CK) operation• Differential Data Strobe (DQS, DQS)• On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK  transition• DM masks write data-in at the both rising and falling  edges of the data strobe• All addresses and control inputs except data,  data strobes and data masks latched on the  rising edges of the clock• Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 and 14 supported• Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2  supported• Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10• Programmable burst length 4/8 with both nibble  sequential and interleave mode• BL switch on the fly• 8banks• Average Refresh Cycle (Tcase of0 oC~ 95oC) - 7.8 µs at 0oC ~ 85 oC - 3.9 µs at 85oC ~ 95 oC• JEDEC standard 78ball FBGA(x4/x8)• Driver strength selected by EMRS• Dynamic On Die Termination supported• Asynchronous RESET pin supported• ZQ calibration supported• TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)• Write Levelization supported• 8 bit pre-fetch• This product in compliance with the RoHS directive.

Funktionen

  • 1. Capacity: 4 gigabits (512 megabytes)
  • 2. Organization: 8 banks × 16,777,216 words × 8 bits
  • 3. Voltage: 1.7V to 1.95V for DDR3L, 1.8V to 2.3V for DDR4
  • 4. Interface: LVDDR3/LPDDR4/DDR4 SDRAM
  • 5. Frequency: Up to 1600 MHz

Anwendung

  • This memory chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, graphics cards, and networking equipment for data storage and memory purposes.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer HYNIX

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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