Bestellungen über
$5000
HGTG30N60A4D
600V, SMPS IGBT
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: HGTG30N60A4D
Datenblatt: HGTG30N60A4D Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1 | $7,287 | $7,287 |
10 | $6,438 | $64,380 |
30 | $5,921 | $177,630 |
90 | $5,212 | $469,080 |
Auf Lager: 9.458 Stck
HGTG30N60A4D Allgemeine Beschreibung
The HGTG30N60A4D is a cutting-edge MOS gated high voltage switching device that represents the pinnacle of technological innovation in the field. By seamlessly blending the advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unparalleled performance and efficiency. With its high input impedance borrowed from MOSFETs and low on-state conduction loss reminiscent of bipolar transistors, the HGTG30N60A4D stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Whether operating at 25°C or 150°C, this IGBT maintains a remarkably low on-state voltage drop, ensuring consistent performance across a wide range of temperatures
![](/files/uploads/product/b/4e02ad8a-0320-46bb-b3ba-1c57c9d26e18.webp)
Funktionen
- Silicon-Carbide Based
- Low Loss Operation
- Rapid Recovery Capability
- Small Form Factor
Anwendung
- Ultra Thin Laptop Cases
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 70 A | Pd - Power Dissipation | 463 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HGTG30N60A4D | Brand | onsemi / Fairchild |
Continuous Collector Current | 75 A | Continuous Collector Current Ic Max | 75 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA | Height | 20.82 mm |
Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.82 mm | Part # Aliases | HGTG30N60A4D_NL |
Unit Weight | 0.225401 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
![]() |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
![]() |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
![]() |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
![]() |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
![]() |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
-
Equivalent
Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications. -
Features
The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package. -
Pinout
The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode -
Manufacturer
The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics. -
Application Field
The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications. -
Package
The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte