Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

HGTG30N60A4D 48HRS

600V, SMPS IGBT

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: HGTG30N60A4D

Datenblatt: HGTG30N60A4D Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $7,287 $7,287
10 $6,438 $64,380
30 $5,921 $177,630
90 $5,212 $469,080

Auf Lager: 9.458 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für HGTG30N60A4D oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

HGTG30N60A4D Allgemeine Beschreibung

The HGTG30N60A4D is a cutting-edge MOS gated high voltage switching device that represents the pinnacle of technological innovation in the field. By seamlessly blending the advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unparalleled performance and efficiency. With its high input impedance borrowed from MOSFETs and low on-state conduction loss reminiscent of bipolar transistors, the HGTG30N60A4D stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Whether operating at 25°C or 150°C, this IGBT maintains a remarkably low on-state voltage drop, ensuring consistent performance across a wide range of temperatures

Funktionen

  • Silicon-Carbide Based
  • Low Loss Operation
  • Rapid Recovery Capability
  • Small Form Factor

Anwendung

  • Ultra Thin Laptop Cases

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
REACH Details Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A Pd - Power Dissipation 463 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG30N60A4D Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 75 A Continuous Collector Current Ic Max 75 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 250 nA Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Part # Aliases HGTG30N60A4D_NL
Unit Weight 0.225401 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications.
  • Features

    The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package.
  • Pinout

    The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode
  • Manufacturer

    The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics.
  • Application Field

    The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications.
  • Package

    The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...