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HGTP10N120BN
HGTP10N120BN is an IGBT NPT with a voltage rating of 1200 V and a current rating of 35 A in a Through Hole TO-220-3 package
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: HGTP10N120BN
Datenblatt: HGTP10N120BN Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $6,353 | $6,353 |
| 10 | $5,695 | $56,950 |
| 30 | $5,294 | $158,820 |
| 100 | $4,957 | $495,700 |
Auf Lager: 9.458 Stck
HGTP10N120BN Allgemeine Beschreibung
The HGTP10N120BN product offers cutting-edge technology with its Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This design is perfect for high voltage switching applications that require low conduction losses, making it an ideal choice for industries such as UPS, solar inverters, motor control, and power supplies. With its ability to operate at moderate frequencies, this IGBT provides reliable and efficient performance for various electronic devices
Funktionen
- High Efficiency Conversion
- Wide Band-Gap Technology
- Excellent Thermal Stability
- Lead Free and RoHS Compliant
Anwendung
- Battery Backup System
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.45 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 35 A |
| Pd - Power Dissipation | 298 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HGTP10N120BN |
| Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 35 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 35 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
| Height | 9.4 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 800 |
| Subcategory | IGBTs | Width | 4.83 mm |
| Part # Aliases | HGTP10N120BN_NL |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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HGTP10N120BN is a power transistor chip designed for high voltage applications. It features a maximum drain current of 10A, a breakdown voltage of 1200V, and a low on-resistance. The chip is capable of handling high power levels, making it suitable for use in industries like automotive, industrial, and consumer electronics. Its compact size and efficient design make it an attractive choice for power management circuits.
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Equivalent
Some equivalent products for the HGTP10N120BN chip include STGW39MH120D, IXYS IXDF10N120P, and ON Semiconductor NGTB10N120FL2WG. These devices have similar specifications and can be used as replacements or alternatives in various applications. -
Features
The HGTP10N120BN is a MOSFET transistor that has a voltage rating of 1,200V, a current rating of 10A, and a power rating of 460W. It has low on-resistance, fast switching speed, and low gate charge. It is designed for high-frequency switching applications in power supplies, inverters, and motor control systems. -
Pinout
The HGTP10N120BN is a power MOSFET with a TO-220 packaging. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate terminal controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the HGTP10N120BN is Vishay Semiconductors. Vishay is a global company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. They provide a wide range of products for various industries, including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The HGTP10N120BN is a high voltage, N-channel IGBT designed for switching applications in motor drive systems, inverters, and welding equipment. It offers low conduction and switching losses, high efficiency, and high ruggedness, making it suitable for high power applications in various industries including automotive, industrial automation, and renewable energy. -
Package
The HGTP10N120BN chip is packaged in a TO-220AB form and has a size of approximately 10.16 x 4.57 x 9.14 mm.
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