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HGTP20N60A4 48HRS

IGBT for high-voltage switch-mode power supply applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: HGTP20N60A4

Datenblatt: HGTP20N60A4 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,030 $1,030
200 $0,400 $80,000
500 $0,385 $192,500
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HGTP20N60A4 Allgemeine Beschreibung

Elevate your high voltage switching applications with the HGTP20N60A4, a game-changing IGBT that revolutionizes performance standards. By integrating the best attributes of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unmatched efficiency and reliability, making it an indispensable component for demanding industrial applications. Its optimized design ensures rapid switching speeds, making it a preferred choice for UPS systems and welding equipment where efficiency and precision are non-negotiable. Trust the HGTP20N60A4 to deliver unparalleled performance and durability in high frequency applications

Funktionen

  • High-Speed Switching : tD = 15ns @ IC = 40A
  • Low Input Current : IIn = 1.5μA at TJ = 125°C
  • Fast Reverse Recovery Time : trr = 25ns at IC = 30A
  • Low Inductive Noise : LIn = 100nH @ TJ = 125°C
  • High-Power Density : PD = 2.5W/cm² at TC = 110°C
  • Ultra-Low Crosstalk : CT = -60 dB @ f = 1 kHz, VI = 10V

Anwendung

  • Transportation
  • Telecommunications
  • Energy

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-220-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 70 A
Pd - Power Dissipation 290 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series HGTP20N60A4
Brand onsemi / Fairchild Continuous Collector Current 70 A
Continuous Collector Current Ic Max 70 A Gate-Emitter Leakage Current +/- 250 nA
Height 9.4 mm Length 10.67 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 800
Subcategory IGBTs Width 4.83 mm
Part # Aliases HGTP20N60A4_NL

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The HGTP20N60A4 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip commonly used in power electronics applications. It offers low conduction losses and high switching speeds, making it suitable for applications like motor drives, inverters, and power supplies. With a voltage rating of 600V and a current rating of 40A, it provides efficient power switching in various industrial and automotive systems.
  • Equivalent

    Possible equivalent products of HGTP20N60A4 chip are IRG7PH46U and IRGP50B60PD1. These products have similar specifications and can be used as substitutes for HGTP20N60A4 in various applications.
  • Features

    The HGTP20N60A4 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 600V, a current rating of 40A, and a low on-resistance. It features a fast switching speed, making it suitable for high-frequency applications such as power supplies and motor control.
  • Pinout

    The HGTP20N60A4 is a MOSFET with 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It functions as a high-voltage, high-speed switch in power electronics applications.
  • Manufacturer

    The HGTP20N60A4 is manufactured by Fairchild Semiconductor, which produces power management and semiconductor devices. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in various electronic components, including MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), integrated circuits, and power modules for diverse applications in industries like automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The HGTP20N60A4 is commonly used in high-power switching applications such as power supplies, motor drives, and induction heating systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for these demanding tasks, while its fast switching characteristics contribute to efficient operation.
  • Package

    The HGTP20N60A4 chip is a TO-220 package type, with a through-hole form factor, and its size is approximately 10.5mm x 15.5mm x 4.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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