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HGTG5N120BND
Three-pin (with three tabs) TO-247 tube containing a 1200V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip rated for 21A current
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: HGTG5N120BND
Datenblatt: HGTG5N120BND Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,818 | $2,818 |
| 10 | $2,466 | $24,660 |
| 30 | $2,022 | $60,660 |
| 90 | $1,810 | $162,900 |
| 510 | $1,712 | $873,120 |
| 1200 | $1,669 | $2002,800 |
Auf Lager: 9.458 Stck
HGTG5N120BND Allgemeine Beschreibung
The HGTG5N120BND product is a cutting-edge Non-Punch Through (NPT) IGBT design that caters to a variety of high voltage switching applications. With a focus on minimizing conduction losses, this IGBT is the perfect choice for devices such as UPS systems, solar inverters, motor controls, and power supplies. Its versatility makes it a valuable component in modern electronics where energy efficiency is key
Funktionen
- High Surge Immunity
- Wide Temperature Range
- Low Dropout Voltage
- Small Package Size
Anwendung
- Backup Power Source
- Energy Storage Solution
- Electrical Safety Equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.45 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 21 A |
| Pd - Power Dissipation | 167 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HGTG5N120BND |
| Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 21 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 21 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
| Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 450 |
| Subcategory | IGBTs | Width | 4.82 mm |
| Part # Aliases | HGTG5N120BND_NL |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The HGTG5N120BND is a high power, high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in various power electronic applications such as motor drives, power supplies, and inverters. It offers a low on-state voltage drop and high switching speed, making it suitable for high-performance and energy-efficient devices.
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Equivalent
The equivalent products of HGTG5N120BND chip are Infineon's IGW50N65H5, STMicroelectronics STGWT40H65DF2, and Fairchild Semiconductor's FGW15N120HS. These chips are all high-power IGBTs with similar specifications and applications in power electronics. -
Features
1. HGTG5N120BND is a 1200V, 45A IGBT power module. 2. It has a low top-side collector-emitter voltage of 2.2V. 3. Features industry-standard footprint and package design for easy integration. 4. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies. -
Pinout
HGTG5N120BND is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a pin count of 3. The functions of the pins are: Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Gate), and Pin 3 (Collector). It is used for high power switching applications. -
Manufacturer
HGTG5N120BND is manufactured by Fairchild Semiconductor, an American semiconductor company that specializes in power and signal path products. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and is headquartered in San Jose, California. They are known for their innovation in power management technologies for consumer, industrial, and automotive applications. -
Application Field
HGTG5N120BND is a high voltage, fast switching IGBT designed for a wide range of applications including induction heating, welding, motor control, and power supplies. It is commonly used in inverters, converters, and other high power electronic systems that require efficient and reliable switching performance. -
Package
The HGTG5N120BND chip is a IGBT transistor in TO-247 package type, with a form of Molded Plastic, and a size of 22.1mm x 5.2mm x 38.94mm.
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