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$5000IXFN170N30P
Trans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN170N30P
Datenblatt: IXFN170N30P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227B
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.349 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN170N30P Allgemeine Beschreibung
The IXFN170N30P is a versatile component that can help optimize the performance of various systems. Whether it's used in motor control for industrial applications or in UPS devices for critical power backup, the HiPerFETs offer reliable and efficient operation. Their advanced design and optimized characteristics make them a valuable asset for engineers and designers looking to enhance the functionality and efficiency of their power electronics systems
Funktionen
- Fast Switching Speed
- High Current Rating
- Low Saturation Current
- S
- Tolerant Construction
Anwendung
- Next-gen power electronics
- cutting-edge power solutions
- Proven power efficiency
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Type | Polar Power MOSFET HiPerFET | Technology | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
| Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXFN170N30 |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 16 ns | Height | 12.22 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 138 A | Length | 38.23 mm |
| Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 890 W |
| Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| Rise Time | 29 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Tradename | HiPerFET |
| Transistor Polarity | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 79 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 41 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | Width | 25.42 mm |
| Unit Weight | 1.058219 oz |
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|---|---|---|---|
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