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IXFX26N90
26 Amps MOSFET with 900V and 0.3 Rds
Marken: IXYS CORP
Herstellerteil #: IXFX26N90
Datenblatt: IXFX26N90 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.707 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $22,087 | $22,087 |
| 200 | $8,548 | $1709,600 |
| 500 | $8,248 | $4124,000 |
| 1000 | $8,099 | $8099,000 |
Auf Lager: 7.707 Stck
IXFX26N90 Allgemeine Beschreibung
Designed for both hard switching and resonant mode applications, the N-Channel HiPerFET™ Standard series, including product IXFX26N90, is an ideal choice for power MOSFETs. With its low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, this series offers reliability and high performance. Available in a variety of standard industrial packages, including isolated types, the N-Channel HiPerFET™ Standard series provides engineers and designers with a versatile and convenient solution for their power MOSFET needs
Funktionen
- Ultra-Low On-State Resistance
- High Frequency Response
- Low Noise Emissions
- Compact Package Design
Anwendung
- Efficient power solution
- Compact and reliable
- Cost-effective option
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | IXYS CORP |
| Package Description | PLUS247, 3 PIN | Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Additional Feature | AVALANCHE RATED | Avalanche Energy Rating (Eas) | 3000 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 900 V | Drain Current-Max (ID) | 26 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.3 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 560 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 104 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFX26N90 chip is a power MOSFET designed for high-performance applications. It features a low on-state resistance, high current capability, and excellent thermal performance. This chip is commonly used in power supply, motor control, and other high-power applications where efficient power management is critical.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the IXFX26N90 chip. However, similar power MOSFET chips from different manufacturers include Infineon's IRFPE40 and STMicroelectronics' STW20N90K5. It is recommended to consult datasheets and technical specifications to determine compatibility and suitability for your specific application. -
Features
1. IXFX26N90 is a power MOSFET transistor. 2. It has a voltage rating of 900V and a continuous current rating of 26A. 3. The transistor is compact and designed for high power applications. 4. It has low on-state resistance and high switching speed. 5. IXFX26N90 is suitable for use in power supplies, motor controls, and other high-power electronic circuits. -
Pinout
The IXFX26N90 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is used for high power applications such as motor control and power supplies. -
Manufacturer
The IXFX26N90 is manufactured by IXYS Corporation, a leading global manufacturer of power semiconductors, integrated circuits, and other advanced electronics technologies. They specialize in developing high-performance power switching and control devices for a wide range of industries, including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IXFX26N90 is a high voltage power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor drives, and high frequency inverters. It is also suitable for use in welding equipment, induction heating, and other industrial and automotive applications requiring high power and efficiency. -
Package
The IXFX26N90 chip is in a TO-247 package, with a through-hole form factor, and a size of approximately 17.5mm x 11.3mm x 4.6mm.
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