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$5000IXGQ90N33TCD1
This product is a Trans IGBT Chip designed for high-power applications with a 330V voltage threshold
Marken: Ixys
Herstellerteil #: IXGQ90N33TCD1
Datenblatt: IXGQ90N33TCD1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P
Produktart: Single IGBTs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.610 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXGQ90N33TCD1 Allgemeine Beschreibung
IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
Funktionen
- High-performance applications with low-power consumption
- Efficient power conversion for improved efficiency
Anwendung
- UPS systems
- Industrial machinery
- Battery chargers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-3P |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 330 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 90 A |
| Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | IXYS |
| Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
| Unit Weight | 0.194007 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXGQ90N33TCD1 chip is a high-power GaN transistor designed for radio frequency and power amplifier applications. It offers high efficiency, high power density, and high voltage capabilities, making it ideal for use in demanding RF and power amplifier systems.
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Equivalent
The equivalent products of IXGQ90N33TCD1 chip are Infineon's CoolMOS N-Channel Power MOSFETs such as IPA60R190C6, IPB60R190C6, and IPD60R190C6. These products offer similar functionalities and characteristics, making them suitable replacements for the IXGQ90N33TCD1 chip. -
Features
1. GaN-on-SiC technology for high power and efficiency 2. 90W minimum power 3. 330-360 MHz frequency 4. Lightweight and compact design 5. High temperature operation up to 110°C 6. Integrated matching network for easy integration into RF systems -
Pinout
The IXGQ90N33TCD1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are gate, drain, and source, used for controlling the flow of current in the circuit. -
Manufacturer
IXGQ90N33TCD1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company. Infineon specializes in the production of power semiconductors, automotive semiconductors, and sensors. -
Application Field
The IXGQ90N33TCD1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as aerospace, defense, industrial, and medical equipment. It is suitable for high-frequency amplification, radar systems, and satellite communication. Its advanced technology and high performance make it ideal for demanding RF power applications in various industries. -
Package
The IXGQ90N33TCD1 chip is packaged in a TO-220 form, with a size of 10.1mm x 18mm x 3.5mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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