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IXTQ36N30P
Product description: 300V 36A N Channel MOSFET
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTQ36N30P
Datenblatt: IXTQ36N30P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $3,093 | $3,093 |
200 | $1,197 | $239,400 |
500 | $1,155 | $577,500 |
1000 | $1,134 | $1134,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXTQ36N30P Allgemeine Beschreibung
The IXTQ36N30P is part of IXYS' series of power MOSFETs, offering a voltage rating of 300V and a continuous drain current of 36A. Designed for high-power applications, this N-channel enhancement mode MOSFET is suitable for power supplies, motor control, and industrial inverters where high efficiency and reliability are crucial. While the exact drain-source on-resistance (RDS(on)) is not explicitly mentioned, it's an important parameter indicating the MOSFET's resistance when it's on. Therefore, consulting the datasheet for precise specifications and considering thermal management is essential when utilizing the IXTQ36N30P in a specific circuit
Funktionen
- International standard packages
- Unclamped Inductive Switching (UIS)
- rated
- Low package inductance
- - easy to drive and to protect
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-3P-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 70 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 300 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | IXTQ36N30 | Packaging: | Tube |
Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
Fall Time: | 28 ns | Height: | 20.3 mm |
Length: | 15.8 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 30 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 97 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
Width: | 4.9 mm |
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