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L2N7002DW1T1G
Tape and Reel Packaged Dual N-Channel MOSFET Array with 6-Pin SC-88 Package, 60V Voltage Rating and ±0.115A Current Rating
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marken: LESHAN RADIO CO LTD
Herstellerteil #: L2N7002DW1T1G
Datenblatt: L2N7002DW1T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT363
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.230 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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20 | $0,022 | $0,440 |
200 | $0,017 | $3,400 |
600 | $0,015 | $9,000 |
3000 | $0,014 | $42,000 |
9000 | $0,012 | $108,000 |
21000 | $0,012 | $252,000 |
Auf Lager: 9.230 Stck
L2N7002DW1T1G Allgemeine Beschreibung
The L2N7002DW1T1G is a versatile dual N-channel MOSFET transistor specifically engineered for low voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this transistor is perfect for power-efficient devices like battery-powered electronics and portable gadgets. Its low threshold voltage of 1V makes it a top choice for applications operating at lower voltages, ensuring optimal performance
![L2N7002DW1T1G L2N7002DW1T1G](/files/uploads/product/b/f0e3b2296a134b1f839c22956be71d31.webp)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | LESHAN RADIO CO LTD | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.115 A | Drain-source On Resistance-Max | 7.5 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 5 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.38 W | Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Element Material | SILICON |
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Brand | onsemi | Product Type | MOSFET |
Subcategory | MOSFETs |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The L2N7002DW1T1G is a MOSFET chip manufactured by On Semiconductor. It is used for switching electronic signals in low power applications such as portable devices and battery-powered systems. The chip has a voltage rating of 60V and a low on-resistance, making it ideal for use in power management circuits and other energy-efficient applications.
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Equivalent
The equivalent products of L2N7002DW1T1G chip are: 1. AO3401A 2. 2N7002LT1G 3. MMBT7002LT1G 4. ZXMN2A01E6TA 5. FDN338PZ These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and package sizes. -
Features
The L2N7002DW1T1G is a small logic-level N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 60V, a maximum continuous drain current of 0.115A, and a low threshold voltage of 1.8V. It is ideal for use in various electronics applications that require fast switching speeds and low power consumption. -
Pinout
The L2N7002DW1T1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and 6 are the source pins of each MOSFET while pin 2 and 5 are the gate pins and pin 3 and 4 are the drain pins. It is typically used in low power consumption and DC/DC converter applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the L2N7002DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management, analog, and sensor technology solutions. They provide innovative products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The L2N7002DW1T1G is commonly used as a low-power switch in various applications such as portable electronics, battery management systems, and small signal switching. It's often found in circuit designs requiring efficient control of low-voltage signals or power. -
Package
The L2N7002DW1T1G is a MOSFET transistor. It comes in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package with three leads. The dimensions are typically around 2.00mm x 1.25mm x 1.00mm.
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