Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

L2N7002DW1T1G 48HRS

Tape and Reel Packaged Dual N-Channel MOSFET Array with 6-Pin SC-88 Package, 60V Voltage Rating and ±0.115A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: LESHAN RADIO CO LTD

Herstellerteil #: L2N7002DW1T1G

Datenblatt: L2N7002DW1T1G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT363

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.230 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
20 $0,022 $0,440
200 $0,017 $3,400
600 $0,015 $9,000
3000 $0,014 $42,000
9000 $0,012 $108,000
21000 $0,012 $252,000

Auf Lager: 9.230 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für L2N7002DW1T1G oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

L2N7002DW1T1G Allgemeine Beschreibung

The L2N7002DW1T1G is a versatile dual N-channel MOSFET transistor specifically engineered for low voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this transistor is perfect for power-efficient devices like battery-powered electronics and portable gadgets. Its low threshold voltage of 1V makes it a top choice for applications operating at lower voltages, ensuring optimal performance

L2N7002DW1T1G

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LESHAN RADIO CO LTD Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.115 A Drain-source On Resistance-Max 7.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G6 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.38 W Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Element Material SILICON
Product Category MOSFET Technology Si
Brand onsemi Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The L2N7002DW1T1G is a MOSFET chip manufactured by On Semiconductor. It is used for switching electronic signals in low power applications such as portable devices and battery-powered systems. The chip has a voltage rating of 60V and a low on-resistance, making it ideal for use in power management circuits and other energy-efficient applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of L2N7002DW1T1G chip are: 1. AO3401A 2. 2N7002LT1G 3. MMBT7002LT1G 4. ZXMN2A01E6TA 5. FDN338PZ These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and package sizes.
  • Features

    The L2N7002DW1T1G is a small logic-level N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 60V, a maximum continuous drain current of 0.115A, and a low threshold voltage of 1.8V. It is ideal for use in various electronics applications that require fast switching speeds and low power consumption.
  • Pinout

    The L2N7002DW1T1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and 6 are the source pins of each MOSFET while pin 2 and 5 are the gate pins and pin 3 and 4 are the drain pins. It is typically used in low power consumption and DC/DC converter applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the L2N7002DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management, analog, and sensor technology solutions. They provide innovative products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The L2N7002DW1T1G is commonly used as a low-power switch in various applications such as portable electronics, battery management systems, and small signal switching. It's often found in circuit designs requiring efficient control of low-voltage signals or power.
  • Package

    The L2N7002DW1T1G is a MOSFET transistor. It comes in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package with three leads. The dimensions are typically around 2.00mm x 1.25mm x 1.00mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...