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ON MSD1819A-RT1G
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: MSD1819A-RT1G
Datenblatt: MSD1819A-RT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.185 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,078 | $0,078 |
| 200 | $0,030 | $6,000 |
| 500 | $0,029 | $14,500 |
| 1000 | $0,028 | $28,000 |
Auf Lager: 3.185 Stck
MSD1819A-RT1G Allgemeine Beschreibung
Experience the benefits of using the MSD1819A-RT1G NPN Bipolar Amplifier Transistor in your next electronic project. Whether you are a hobbyist or a professional electronics engineer, this transistor offers the perfect combination of performance, reliability, and versatility. Upgrade your amplifier circuits with confidence knowing that the MSD1819A-RT1G transistor will deliver exceptional results every time. Trust in the quality and efficiency of this transistor for all your general-purpose amplifier needs
Funktionen
- High EMI Immunity, 150 kHz
- Low Vcc Min, 1.8V
- RoHS Compliant: Yes
- AEC-Q200 Qualified: No
- ESD Protection: Human Body Model > 4kV
Anwendung
ONSEMISpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Y | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 | Transistor Polarity: | NPN |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 0.5 V | Maximum DC Collector Current: | 0.1 A |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MSD1819A-R | Height: | 0.85 mm |
| Length: | 2.1 mm | Packaging: | Reel |
| Width: | 1.24 mm | Brand: | ON Semiconductor |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 210 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Unit Weight: | 0.000219 oz |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den MSD1819A-RT1G Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
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Beschreibung
Artikelnummer : NSVMSD1819A-RT1G
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