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$5000ON NSS35200CF8T1G
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Surface Mount ChipFET™
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Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NSS35200CF8T1G
Datenblatt: NSS35200CF8T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 1206A
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.690 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NSS35200CF8T1G Allgemeine Beschreibung
Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
Funktionen
- Very Low Saturation
- High Current Switching 2A DC, 7A Peak
- High Current Gain
- High Cut Off Frequency
- Low Profile Package
- Linear Gain (Beta)
- This is a Pb-Free Device
Anwendung
- DC/DC Converter
- Complimentary Driver
- Supply line Load Switch
- Current Extention & Low Drop Out Regulation
- Battery Charging, Linear & Pulsed
- Cathode Florescent Lamp drive
- Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS: | Details | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | 1206A | Transistor Polarity: | PNP |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 35 V |
Collector- Base Voltage VCBO: | 55 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV | Maximum DC Collector Current: | 2 A |
Pd - Power Dissipation: | 13.5 W | Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | NSS35200CF8T1G | Packaging: | Reel |
Brand: | onsemi | Continuous Collector Current: | - 2 A |
Height: | 1.05 mm | Length: | 3.05 mm |
Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | Transistors | Technology: | Si |
Width: | 1.65 mm | feature-type | PNP |
feature-category | Bipolar Power | feature-material | Si |
feature-configuration | Single | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
feature-maximum-collector-base-voltage-v | 55 | feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 35 |
feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 5 | feature-maximum-dc-collector-current-a | 2 |
feature-minimum-dc-current-gain | 100@1A@2V|[email protected]@2V|100@2A@2V | feature-maximum-power-dissipation-mw | 13500 |
feature-maximum-transition-frequency-mhz | 100(Min) | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 8 | |
feature-supplier-package | Chip FET | feature-standard-package-name1 | Chip FET |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | Yes |
feature-military | No | feature-aec-qualified | Yes |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | No |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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