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$5000vishay SQM200N04-1M1L_GE3
N-Channel 40V 200A Surface Mount Transistor
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Marken: Vishay
Herstellerteil #: SQM200N04-1M1L_GE3
Datenblatt: SQM200N04-1M1L_GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-7
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.134 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SQM200N04-1M1L_GE3 Allgemeine Beschreibung
The SQM200N04-1M1L_GE3 power MOSFET transistor, manufactured by Vishay Siliconix, is a highly efficient component designed for power management applications. With its low on-state resistance of 2.8 milliohms, it ensures minimal power loss during power conduction, contributing to overall system efficiency. Its maximum drain-source voltage rating of 40 volts and continuous drain current rating of 200 amps make it suitable for high-power applications, including motor control, power supplies, and battery management systems
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | Vishay | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TO-263-7 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | Id - Continuous Drain Current | 200 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 uOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V | Qg - Gate Charge | 413 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 375 W | Channel Mode | Enhancement |
Qualification | AEC-Q101 | Tradename | TrenchFET |
Series | SQ | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 126 ns |
Forward Transconductance - Min | 219 S | Height | 4.82 mm |
Length | 10.41 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 12 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 443 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
Width | 9.65 mm |
Versand
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